技術編號：6993122
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體元件以及其制造方法，且特別是涉及一種非易失性存儲器以及其制造方法。背景技術非易失性存儲器元件由于具有可進行多次數據的存入、讀取、擦除等動作且存入的數據在斷電后也不會消失的優(yōu)點，因此已成為個人電腦和電子設備所廣泛采用的一種存儲器元件。典型的非易失性存儲器元件一般被設計成具有堆疊式柵極(Stacked-Gate)結構，其中包括以摻雜多晶硅制作的浮置柵極(Floating Gate)與控制柵極(Control Gate)。 浮置柵極位于控制柵...
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