技術(shù)編號(hào)：6993062
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有形成在外部連接端子與內(nèi)部電路區(qū)域之間的ESD保護(hù)元件的半 導(dǎo)體裝置，該ESD保護(hù)元件用于保護(hù)形成在所述內(nèi)部電路區(qū)域中的內(nèi)部元件免受ESD破壞。背景技術(shù)在具有MOS型晶體管的半導(dǎo)體裝置中，作為用于防止來自外部連接用焊盤(PAD) 的靜電對(duì)內(nèi)部電路造成破壞的ESD保護(hù)元件，已知有所謂的截止晶體管(offtransistor)， 截止晶體管是將N型MOS晶體管的柵極電位固定為地(Vss)而設(shè)置為截止?fàn)顟B(tài)。為了防止內(nèi)部電路元件的ESD破壞，重要之處在...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。