技術(shù)編號(hào)：6992080
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。特別地，本發(fā)明涉及存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動(dòng)方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置(在下 文中，簡(jiǎn)單地稱為存儲(chǔ)器裝置)的示例包括DRAM和SRAM，其被歸類為易失性存儲(chǔ)器；掩蔽型ROM、EPROM、EEPR0M、閃速存儲(chǔ)器和鐵電存儲(chǔ)器，其被歸類為非易失性存儲(chǔ)器；等等。包括單晶半導(dǎo)體襯底的這些存儲(chǔ)器中的大部分已經(jīng)投入實(shí)際使用。在上文的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器之中，閃速存儲(chǔ)器被廣泛銷售，其主要用于例如USB存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器卡等移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。