技術(shù)編號：6990981
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。特別地，本發(fā)明涉及用于η溝道場效應(yīng)晶體管(nFET)的雙層埋設(shè)應(yīng)激物元件以及雙層nFET埋設(shè)應(yīng)激物元件的制造方法，該雙層nFET埋設(shè)應(yīng)激物元件顯著減小了缺陷密度并且沒有注入損壞。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件的襯底內(nèi)的機(jī)械應(yīng)力廣泛地用于調(diào)整諸如驅(qū)動電流的器件性能。例如，在一般的硅技術(shù)中，晶體管的溝道沿著硅的{110}面取向。在這種配置下，當(dāng)溝道在膜方向上處于壓應(yīng)力之下和/或在垂直于溝道的方向上處于張應(yīng)力之下時，空穴的遷移率提高，而當(dāng)硅...
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