技術(shù)編號：6990872
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種太陽能電池單元，更詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及一種技術(shù)，所述技術(shù)降低由在作為半導(dǎo)體基板的多晶硅內(nèi)部存在的結(jié)晶缺陷或晶界中的電子-空穴再結(jié)合引起的光電轉(zhuǎn)換損失、以及多晶硅太陽能電池單元的內(nèi)部應(yīng)力、由此引起的單元的翹曲并提高單元-模塊制造工序中的成品率。背景技術(shù)使用圖4對以往的多晶硅太陽能電池單元的制造工序進(jìn)行說明。在圖4(1)中，在硼摻雜的P型硅基板10中，用20%苛性鈉除去在從鑄錠上切片時產(chǎn)生的硅表面的損傷層。 接著，利用苛性鈉和10%異丙醇的混合液...
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