技術(shù)編號：6990128
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明系相關于一種具有互連以及一金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產(chǎn)品，本發(fā)明系特別相關于具有包括鋁以作為一必要結(jié)構(gòu)成分的互連的一集成半導體產(chǎn)品。在BIPOLAR、BICMOS、以及CMOS技術(shù)中的高頻電路，其系需要具有一高電壓線性(voltage linearity)、準確之可設定電容值、以及特別是低寄生電容值的集成電容器，但該等已經(jīng)被使用至今的已知MOS或MIS電容器，則是由于電壓感應之空間電荷區(qū)域(voltage-induced space cha...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。