技術(shù)編號：6988587
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于制造碳化硅襯底的方法和碳化硅襯底，更具體地講，涉及均實現(xiàn)了降低使用碳化硅襯底制造半導體器件的成本的制造碳化硅襯底的方法和碳化硅襯底。背景技術(shù)近年來，為了實現(xiàn)高擊穿電壓、低損耗并且在高溫度環(huán)境下使用半導體器件，已經(jīng)開始采用碳化硅(SiC)作為用于半導體器件的材料。碳化硅是一種帶隙比硅的帶隙大的寬帶隙半導體，其傳統(tǒng)上廣泛用作半導體器件的材料。因此，通過采用碳化硅作為半導體器件的材料，半導體器件可以具有高擊穿電壓、減小的導通電阻等。另外，因此有利地...
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