技術(shù)編號(hào)：6988443
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)由強(qiáng)電介質(zhì)膜構(gòu)成柵極絕緣膜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的方法。背景技術(shù)使用強(qiáng)電介質(zhì)的非易失性存儲(chǔ)器大致分為電容器型和由強(qiáng)電介質(zhì)膜構(gòu)成柵極絕緣膜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor, FET)型兩種。電容器型為與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)類似的結(jié)構(gòu)，在強(qiáng)電介質(zhì)電容器中保持電荷，根據(jù)強(qiáng)電介質(zhì)的極化方向，區(qū)分信息的0、1。蓄積于強(qiáng)電介質(zhì)電容器的極化，與被配置在其上下的電極誘發(fā)的電荷結(jié)合，在切斷電壓的狀態(tài)下不會(huì)消失。但是...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。