技術(shù)編號：6986744
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體結(jié)構(gòu)，并且具體而言涉及具有低導通電阻的結(jié)型場效應(yīng)晶體管 (JFET)及其制造方法。背景技術(shù)固態(tài)功率放大器的優(yōu)勢在于其緊湊的尺寸和容易集成到半導體電路組件中。遺憾的是，當前半導體功率放大器的制造方法要求專用于功率放大器器件的半導體襯底或要求除了用于典型的半導體互補型金屬氧化物半導體(CMOS)器件或其變體的普通半導體處理步驟之外的許多處理步驟。例如，高端功率放大器以砷化鎵(GaAs)技術(shù)構(gòu)造，該技術(shù)要求GaAs襯底和與基于硅的CMOS技術(shù)不相...
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