技術(shù)編號(hào)：6986722
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及基于半導(dǎo)體的電子器件，以及更具體而言涉及具有納米線(xiàn)溝道的場(chǎng)效晶體管(FET)及其制造技術(shù)。背景技術(shù)具有納米線(xiàn)溝道的柵極全覆式(feite-All-Aroimd，GAA)場(chǎng)效晶體管(FET)的柵極長(zhǎng)度縮放(scaling)可通過(guò)減少納米線(xiàn)溝道直徑而達(dá)成。例如，使GAA金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)的縮放到亞20納米(nm)柵極長(zhǎng)度需要直徑低于IOnm的納米線(xiàn)溝道。例如，參見(jiàn) Oh 等人的文獻(xiàn)“Analytic Description o...
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