技術編號：6971423
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及半導體功率器件，尤其涉及多通道LDMOS器件。 背景技術隨著微電子技術的高速發(fā)展，高壓BCD工藝已廣泛應用于LED驅(qū)動、開關電源等模擬電路領域。其中功率管主要采用橫向雙擴散MOS器件(Lateral Double-diffused M0SFET)，在滿足其耐壓要求的前提下降低其比導通電阻(導通電阻X面積)成為高壓BCD 工藝發(fā)展的主要方向。傳統(tǒng)LDMOS采用單resurf (reduced surface field，降低表面場) 或者2倍r...
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