技術編號:6968857
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有由高介電質構成的柵極絕緣膜的。背景技術 近年來,隨著實現(xiàn)半導體器件的集成化和高速化的技術發(fā)展,MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的微細化也隨之提高。追求柵極絕緣膜的薄膜化的結果,柵極漏電流由于隧道電流增大這一問題表面化了。為了解決該問題,正在研究使用介電常數高于SiO2的high-k材料(以下,稱之為高介電常數材料),作為柵極絕緣膜的材料,具體來說,通過使用H...
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