技術(shù)編號：6960467
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種MOS晶體管及其制作方法。 背景技術(shù)近年來，金屬硅化物(Metallic silicide)源/漏MOSFEI1s逐漸成為最具發(fā)展前景的下一代CMOS晶體管技術(shù)之一。金屬硅化物源/漏MOSFETs的源區(qū)和漏區(qū)不同于傳統(tǒng)的CMOS晶體管由半導(dǎo)體襯底的摻雜區(qū)形成，而是由金屬硅化物組成。通常，金屬硅化物源 /漏MOSFETs既可以形成于體硅襯底也可以形成于SOI襯底。圖1為一種常見的金屬硅化物源/漏MOSFETs的結(jié)構(gòu)示意圖。晶...
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