技術(shù)編號：6960466
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種。 背景技術(shù)在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS，Complementary Metal-oxidesemiconductor)的制備過程中，隨著器件的特征尺寸(⑶，Critical Dimension)的不斷減小，為了提高載流子遷移率和改善器件性能，往往在溝道中引入應(yīng)力。Scott E. Thompson 等在 Uniaxial-Process-Induced Strained-Si -Extending theCMOS Roa...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。