技術(shù)編號：6959456
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種VDMOS結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及一種VDMOS結(jié)構(gòu)的制備方法。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷發(fā)展，對電源管理系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和尺寸要求日益提高。集成電路尺寸的縮小使得芯片操作電壓降低，因此系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和尺寸尤其重要。開關(guān)電源中開關(guān)的寄生電容是阻礙電源系統(tǒng)效率提高和尺寸減小的關(guān)鍵因素之一。VDMOS (縱向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)結(jié)構(gòu)為電源管理系統(tǒng)的常用開關(guān)器件。傳統(tǒng)VDMOS只有一層?xùn)?見圖1)，起控制開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷的作用，其柵漏...
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