技術(shù)編號(hào)：6959446
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種高k柵介質(zhì)/金屬柵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的替代柵制備方法，該方法采用犧牲SiO2/多晶硅柵作為假柵，經(jīng)SOG平坦化和反刻工藝后，去除犧牲SiO2/多晶硅假柵結(jié)構(gòu)，形成高k柵介質(zhì)/金屬柵堆疊。背景技術(shù)40多年來，集成電路技術(shù)按摩爾定律持續(xù)發(fā)展，特征尺寸不斷縮小，集成度不斷提高，功能越來越強(qiáng)。目前，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)的特征尺寸已進(jìn)入亞50納米。伴隨器件特征尺寸的不斷減小，如果仍采用傳統(tǒng)的多晶硅柵，多晶硅耗盡效應(yīng)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。