技術(shù)編號(hào):6958327
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體功率器件。更確切地說(shuō),本發(fā)明是涉及制備橫向功率器件 的結(jié)構(gòu)和方法,該器件含有一個(gè)超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu),帶有形成在漏極襯底和柵極之間的雪崩箝位 二極管。這種橫向超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)降低了導(dǎo)通電阻,同時(shí)結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)提高了襯底和漏極之間 的擊穿電壓,改善了非箝位感應(yīng)開(kāi)關(guān)(UIS)性能。背景技術(shù)MOSFET功率器件等傳統(tǒng)的帶有超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體功率器件,可以在維持高擊穿 電壓的同時(shí),顯著降低導(dǎo)通電阻,從而獲得性能上的提高。但是,要在MOSFET器件中制備超 級(jí)結(jié)結(jié)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。