技術(shù)編號(hào)：6956175
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，尤其是一種制造介質(zhì)/氮化物復(fù)合結(jié)構(gòu) 增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的方法。具體地說是用能帶剪裁方法分別制造出具有高密度高遷移率二維 電子氣的外溝道阱和在零柵壓下夾斷、在正柵壓下打開的能防止大正柵壓下溝道能帶畸變 的內(nèi)溝道阱，用以制造高效、大功率增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法。屬于半導(dǎo)體器件技 術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管是一種在正柵壓下工作的場(chǎng)效應(yīng)管。它要求柵電極外的外溝道打 開，串聯(lián)電阻很低，而柵電極下的內(nèi)溝道在零柵壓下夾斷，在正柵...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。