技術(shù)編號：6955705
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路的制造，特別涉及具有應(yīng)變結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展至納米工藝技術(shù)世代，追求更高的元件密度、更高的效能以及更低的成本，對于制造與設(shè)計問題上的挑戰(zhàn)更發(fā)展出三維的設(shè)計，例如鰭式場效應(yīng)晶體管(fin field effect transistor FinFET)。典型的鰭式場效應(yīng)晶體管具有由基底延伸的薄且垂直鰭片(fin)(或鰭片結(jié)構(gòu))，例如通過蝕刻至基底的硅層內(nèi)，鰭式場效應(yīng)晶體管的溝道可在此垂直鰭片中形成。在鰭片之上提供柵...
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