技術(shù)編號：6950654
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，更具體地涉及包括豎直溝道晶體管的半導(dǎo) 體器件的制造方法。背景技術(shù)由于半導(dǎo)體器件的集成度增加，晶體管的溝道長度已經(jīng)逐漸減小。然而，晶體管的 溝道長度的減小會引起例如漏極引發(fā)勢壘降低(DIBL)現(xiàn)象、熱載流子效應(yīng)和擊穿現(xiàn)象等 短溝道效應(yīng)。為了避免短溝道效應(yīng)，已經(jīng)提出各種方法。這些方法的實(shí)例包括降低接面區(qū) 域的深度的方法或者通過在晶體管的溝道區(qū)域中形成凹陷部來增加溝道長度的方法。然而，隨著半導(dǎo)體存儲器件(具體地說為DRAM)的集成密度逐漸增加至千兆位...
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