專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體地涉及包括豎直溝道晶體管的半導(dǎo) 體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
由于半導(dǎo)體器件的集成度增加，晶體管的溝道長度已經(jīng)逐漸減小。然而，晶體管的 溝道長度的減小會引起例如漏極引發(fā)勢壘降低(DIBL)現(xiàn)象、熱載流子效應(yīng)和擊穿現(xiàn)象等 短溝道效應(yīng)。為了避免短溝道效應(yīng)，已經(jīng)提出各種方法。這些方法的實例包括降低接面區(qū) 域的深度的方法或者通過在晶體管的溝道區(qū)域中形成凹陷部來增加溝道長度的方法。然而，隨著半導(dǎo)體存儲器件(具體地說為DRAM)的集成密度逐漸增加至千兆位，需 要制造更小尺寸的晶體管。也就是說，千兆位DRAM的晶體管需要器件面積小于8F2(F 最 小特征尺寸)，并且進(jìn)一步需要4F2的器件面積。結(jié)果，即使溝道長度成比例地減小，也難以 利用現(xiàn)有平面晶體管的結(jié)構(gòu)獲得需要的器件面積，其中，現(xiàn)有平面晶體管具有形成于半導(dǎo) 體基板上的柵電極以及形成于柵電極兩側(cè)的接面區(qū)域。為了解決該問題，已經(jīng)提出一種豎直溝道晶體管。豎直溝道晶體管的制造方法如 下。借助于光刻工序以預(yù)定深度蝕刻半導(dǎo)體基板的單元區(qū)域以形成頂部柱以及將頂部柱的 側(cè)壁圍繞的間隔物。用間隔物作為蝕刻掩模進(jìn)一步蝕刻露出的半導(dǎo)體基板以形成溝槽。對 溝槽執(zhí)行各向同性濕式蝕刻工序以形成頸部柱，該頸部柱構(gòu)成與頂部柱一體的結(jié)構(gòu)并沿著 豎直方向延伸。頸部柱形成為寬度比頂部柱的寬度窄。在頸部柱的外側(cè)壁上形成柵極絕緣膜和包括導(dǎo)電膜的圍繞柵極。對與圍繞柵極相 鄰近的半導(dǎo)體基板執(zhí)行離子注入工序以形成位線雜質(zhì)區(qū)域。蝕刻半導(dǎo)體基板至與雜質(zhì)區(qū)域 間隔開的深度以形成與雜質(zhì)區(qū)域隔開的埋入式位線。為了避免在埋入式位線之間形成短 路，需要深深地蝕刻半導(dǎo)體基板。依次執(zhí)行后續(xù)工序以獲得根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有豎直晶體管的半導(dǎo)體器件。然而，蝕刻半導(dǎo)體基板以將埋入式位線間隔開的方法降低了半導(dǎo)體基板的集成 度。因此，當(dāng)埋入式位線的寬度變小時，難以充分地保證在后續(xù)工序中與埋入式位線電接觸 所需的面積。此外，為了形成與埋入式位線接觸的位線觸點，需要執(zhí)行額外工序，從而使工序復(fù) 雜化并且增加了制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各個實施例涉及提供半導(dǎo)體器件及其制造方法，所述方法包括蝕刻半 導(dǎo)體基板以形成第一柱，所述第一柱是所形成的多個柱的一部分；在所述第一柱的第一側(cè) 壁和第二側(cè)壁上沉積第一保護(hù)膜；利用所述第一柱和所述第一保護(hù)膜作為掩摸對所述半 導(dǎo)體基板執(zhí)行第一蝕刻工序以使所述第一柱的下部延長并限定所述第一柱的第一延長下 部；在所述第一柱的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁以及所述第一柱的第一延長下部上形成第一絕緣膜；利用所述第一柱和所述第一絕緣膜作為掩摸對所述半導(dǎo)體基板執(zhí)行第二蝕刻工序以使 所述第一柱的下部延長并限定所述第一柱的第二延長下部；至少在所述第一柱的第二延長 下部上形成第二保護(hù)膜和第二絕緣膜；在包括所述第一延長下部和所述第二延長下部在內(nèi) 的所述第一柱的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上沉積阻擋膜，所述阻擋膜被沉積在所述第二絕緣膜 上；以及移除設(shè)置在所述第一柱的第一側(cè)壁上的所述第一絕緣膜、所述第二絕緣膜和所述 阻擋膜以限定使所述第一柱的第一側(cè)壁的一部分露出的觸點孔，所述觸點孔限定在所述第 一保護(hù)膜與所述第二保護(hù)膜之間。所述第一保護(hù)膜和所述第二保護(hù)膜包括氧化物膜，其中，設(shè)置在所述第二側(cè)壁上 的所述第一絕緣膜、所述第二絕緣膜和所述阻擋膜保持完好，所述第二側(cè)壁位于所述第一 側(cè)壁的相對側(cè)。在所述第一柱的上表面設(shè)置有硬掩摸圖案。所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜包 括氮化物膜。所述阻擋膜包括氮化鈦膜。所述阻擋膜利用如下步驟來移除，所述步驟包括形成如下犧牲氧化物膜，所述犧 牲氧化物膜的高度低于所述半導(dǎo)體基板上的所述第一柱的上表面的高度；在所述第一柱和 所述犧牲氧化物膜上沉積多晶硅層；移除所述多晶硅層的第一部分以使位于所述第一柱的 第一側(cè)壁附近的所述阻擋膜露出；以及移除露出的所述阻擋膜。所述犧牲氧化物膜包括SOD膜，其中，位于所述第一柱的第二側(cè)壁附近的所述阻 擋膜保持被所述多晶硅層覆蓋并且在移除所述第一側(cè)壁附近的阻擋膜時不被移除。移除所 述多晶硅層的第一部分的步驟包括在不將離子注入到所述多晶硅層的第一部分的情況下 將離子注入到所述多晶硅層的第二部分中；以及移除所述第一多晶硅層。所述離子注入工序執(zhí)行多次。所述離子注入工序以相對于與所述半導(dǎo)體基板的表 面垂直的角度在0°至30°的范圍內(nèi)的角度執(zhí)行。還包括在使所述第一側(cè)壁附近的所述阻 擋膜露出之后，移除所述多晶硅層和所述犧牲氧化物膜。所述阻擋膜利用如下步驟來移除，所述步驟包括在所述半導(dǎo)體基板和所述第一 柱上形成犧牲氧化物膜；移除所述犧牲氧化物膜以使所述第一柱露出；在所述第一柱的上 表面和所述犧牲氧化物膜的上表面上形成使位于所述第一柱的第一側(cè)壁附近的阻擋膜露 出的掩摸圖案；以及移除從所述掩摸圖案露出的阻擋膜。所述掩摸圖案包括氧化物膜。還包括在移除所述第一側(cè)壁附近的阻擋膜之后移除 所述掩摸圖案和所述犧牲氧化物膜。所述第二絕緣膜通過將所述第二保護(hù)膜的表面氮化來 獲得。所述第一柱的第一延長下部的深度具有作為蝕刻目標(biāo)的最終形成的觸點孔的臨界尺 寸。一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括蝕刻半導(dǎo)體基板以形成柱；在所述 柱的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上形成由第一材料形成的第一膜，所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁 位于所述柱的相對兩側(cè)；蝕刻所述半導(dǎo)體基板以使所述柱的下部延長并限定所述柱的第一 延長部分；在所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁以及所述第一延長部分上形成由第二材料形成 的第一膜；蝕刻所述半導(dǎo)體基板以使所述柱的下部延長并在所述第一延長部分下方限定所 述柱的第二延長部分；至少在所述第二延長部分上形成由第一材料形成的第二膜；至少在 所述由第一材料形成的第二膜上形成由第二材料形成的第二膜；在包括所述第一延長部分 和所述第二延長部分在內(nèi)的所述柱的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上形成由第三材料形成的膜，所述由第三材料形成的膜沉積在所述由第二材料形成的第二膜上；以及移除位于所述第一側(cè) 壁附近的所述由第二材料形成的第一膜、所述由第二材料形成的第二膜以及所述由第三材 料形成的膜以限定使所述柱的第一側(cè)壁的一部分露出的觸點孔，所述觸點孔限定在所述由 第一材料形成的第一膜與所述由第一材料形成的第二膜之間。所述第一材料是氧化物，所述第二材料是氮化物，并且所述第三材料包括氮化鈦。 位于所述第二側(cè)壁附近的所述由第二材料形成的第一膜、所述由第二材料形成的第二膜、 以及所述由第三材料形成的膜在移除步驟期間保持完好。一種半導(dǎo)體器件包括柱，其形成于基板上；第一保護(hù)膜，其形成于所述柱的第一 側(cè)壁的上部；第二保護(hù)膜，其形成于所述柱的第二側(cè)壁的上部；第三保護(hù)膜，其形成于所述 柱的第一側(cè)壁的下部；第一間隔，其限定在所述第一保護(hù)膜與所述第三保護(hù)膜之間，所述第 一間隔使所述柱的第一側(cè)壁露出；第四保護(hù)膜，其形成于所述柱的第二側(cè)壁的下部；第二 間隔，其限定在所述第二保護(hù)膜與所述第四保護(hù)膜之間，所述第二間隔使所述柱的第二側(cè) 壁露出；以及絕緣膜，其形成于所述第二保護(hù)膜、所述第二間隔和所述第四保護(hù)膜上。所述絕緣膜包括第一絕緣膜，其形成于所述第二保護(hù)膜和所述第二間隔上；以 及第二絕緣膜，其形成于所述第四保護(hù)膜上。


圖Ia至圖11是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖視圖。圖加至圖2c是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖視圖。
具體實施例方式下面參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。圖Ia至圖11是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖視圖。參考圖la，在半導(dǎo)體基板100的上部上形成硬掩模層(未示出)和抗反射膜(未 示出)。硬掩模層(未示出)可以由非晶碳層、氮氧化硅(SiON)膜、非晶硅層或其組合形 成。在抗反射膜(未示出)的上部上形成限定埋入式位線區(qū)域的光阻(photoresist， 又稱為光刻膠或光致抗蝕劑)圖案。光阻圖案(未示出)形成為線型圖案(line pattern) 0用光阻圖案(未示出)作為掩模蝕刻抗反射膜(未示出)和硬掩模層(未示出)。 移除光阻圖案(未示出)和經(jīng)蝕刻的抗反射膜(未示出)以形成限定埋入式位線區(qū)域的硬 掩模圖案105。用硬掩模圖案105作為掩模蝕刻半導(dǎo)體基板100以形成多個柱115。半導(dǎo)體基板 100的一部分被蝕刻掉以形成豎直方向上的柱115。執(zhí)行氧化工序以在包括柱115在內(nèi)的半導(dǎo)體基板100的表面上形成第一氧化物膜 120。執(zhí)行該工序以保護(hù)半導(dǎo)體基板100和柱115。第一氧化物膜120的一部分可以形成于 半導(dǎo)體基板100的內(nèi)側(cè)表面(例如，柱115的側(cè)壁)上。例如，當(dāng)?shù)谝谎趸锬?20形成為 100A厚時，約50 A的氧化物膜被沉積在半導(dǎo)體基板100的表面上并形成在半導(dǎo)體基板的 內(nèi)側(cè)上。參考圖lb，執(zhí)行回蝕工序以移除形成于半導(dǎo)體基板100上以及形成于柱115的頂面上的第一氧化物膜120，同時留下柱115的側(cè)壁上的第一氧化物膜120。在該回蝕工序中， 用硬掩模圖案105作為掩模來蝕刻沉積在半導(dǎo)體基板100的表面上的第一氧化物膜120。 在回蝕工序之后，保留在柱115的側(cè)壁上的第一氧化物膜120變得比原厚度薄。參考圖lc，使用硬掩模圖案105和柱115作為掩模將半導(dǎo)體基板100進(jìn)一步蝕刻 深度D1。在柱115的側(cè)壁和硬掩模圖案105的側(cè)壁上形成襯墊(liner)氮化物膜125。襯 墊氮化物膜125通過在包括硬掩模圖案105和柱115在內(nèi)的半導(dǎo)體基板100的整個表面上 形成氮化物膜之后執(zhí)行回蝕工序來獲得。襯墊氮化物膜125形成為用于保護(hù)露出的觸點孔 區(qū)域。參考圖ld，用硬掩模圖案105和襯墊氮化物膜125作為掩模進(jìn)一步蝕刻半導(dǎo)體基 板100。執(zhí)行氧化工序以在半導(dǎo)體基板100的表面上形成第二氧化物膜130。與圖Ia所示 的第一氧化物膜120 —樣，第二氧化物膜130被部分地沉積在半導(dǎo)體基板100的內(nèi)側(cè)且部 分地沉積在半導(dǎo)體基板100的表面上。參考圖le，執(zhí)行等離子體硝化工序以將第二氧化物膜130的表面轉(zhuǎn)變?yōu)榈锬?135。該氮化物膜135被沉積在第二氧化物膜130上。在柱115的側(cè)壁和硬掩模圖案105的側(cè)壁上形成阻擋膜140。阻擋膜140由與氮 化物膜135具有蝕刻選擇性差異的材料(例如，氮化鈦(TiN))形成。阻擋膜140通過在包 括硬掩模圖案105和柱115在內(nèi)的所得表面上沉積氮化鈦膜之后執(zhí)行回蝕工序來形成。參考圖lf，在包括阻擋膜140在內(nèi)的半導(dǎo)體基板100的所得表面上形成犧牲氧化 物膜145。犧牲氧化物膜145包括旋涂介電(SOD)氧化物膜。在執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工序以使硬掩模圖案105露出之后，執(zhí)行退火工序或
固化工序。使?fàn)奚趸锬?45凹入從而硬掩模圖案105朝向犧牲氧化物膜145的上部突 出。使?fàn)奚趸锬?45凹入的工序借助于濕式、干式或回蝕工序來執(zhí)行。參考圖lg，移除從凹入的犧牲氧化物膜145露出的阻擋膜140。也就是說，移除形 成于硬掩模圖案105的側(cè)壁上的阻擋膜140以使襯墊氮化物膜125露出。在犧牲氧化物膜 145的頂面上并且在硬掩模圖案105上沉積多晶硅層150。由于犧牲氧化物膜145和硬掩模 圖案105形成為彼此具有階梯差并且多晶硅層150由線型圖案形成，多晶硅層也形成為具 有階梯差。也就是說，多晶硅層150由如下部分形成上平坦表面，其形成于犧牲氧化物膜 145上；下平坦表面，其在與上平坦表面具有階梯差的情況下形成于硬掩模圖案105上；第 一側(cè)壁，其形成于硬掩模圖案105的一個側(cè)壁上；以及第二側(cè)壁，其形成于硬掩模圖案105 的另一側(cè)壁上。多晶硅層150的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁分別將上平坦表面與下平坦表面連 接。參考圖lh，將BF2離子注入到多晶硅層150的一部分中。離子注入工序借助于傾 斜注入(slant implantation)來執(zhí)行。離子注入工序執(zhí)行兩次，包括以第一角度執(zhí)行的第 一注入工序、以及以不同于第一角度的第二角度執(zhí)行的第二注入工序。注入角度相對于與 半導(dǎo)體基板100的表面垂直的角度(方向)在0至30°的范圍內(nèi)。在一個實施例中，第一 角度(方向)與半導(dǎo)體基板100的表面垂直并且第二角度相對于與半導(dǎo)體基板100的表面 垂直的角度(方向)在20°至30°的范圍內(nèi)。在傾斜注入工序期間，離子被注入到硬掩模圖案105的頂部、多晶硅層150a的上平坦表面和下平坦表面、以及多晶硅層150a的第一側(cè) 壁中，但不注入到多晶硅層150a的第二側(cè)壁中。參考圖li，執(zhí)行清洗工序以移除多晶硅層150的沒有注入離子的第二側(cè)壁。在移 除多晶硅層150的第二側(cè)壁時，形成于柱115與犧牲氧化物膜145的一個側(cè)壁之間的阻擋 膜140露出。然而，形成于柱115與犧牲氧化物膜145的另一側(cè)壁之間的阻擋膜140不露
出ο參考圖lj，移除形成于柱115的一個側(cè)壁處的阻擋膜140。然而，保留形成于犧牲 氧化物膜145的另一側(cè)壁處的阻擋膜。參考圖lk，移除犧牲氧化物膜145和被注入離子的多晶硅層150a。襯墊氮化物膜 125在柱115的一個側(cè)壁處露出，并且阻擋膜140在柱115的另一側(cè)壁處露出。參考圖11，移除沒有被阻擋膜140覆蓋并且保留在柱115的另一側(cè)壁上的氮化物 膜135。移除在柱115的一個側(cè)壁處露出的襯墊氮化物膜125以使柱115從第一氧化物膜 120與第二氧化物膜130之間露出。移除保留在柱115的另一側(cè)壁上的阻擋膜140。然而， 形成于柱115的另一側(cè)壁上的襯墊氮化物膜125沒有被移除而是保留下來。露出的柱115 是觸點孔155。圖加至圖2c是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖視圖。首先，以相同的方式執(zhí)行圖Ia-圖If中的工序。然后，如圖加所示，在柱115和犧 牲氧化物膜145的上部形成氧化物膜(未示出)和光阻圖案(未示出)。用光阻圖案(未 示出)蝕刻氧化物膜(未示出)以形成掩摸圖案147。掩摸圖案147形成為使形成于柱115 的一個側(cè)壁上的阻擋膜140露出。移除光阻圖案(未示出)。參考圖2b，移除設(shè)置在柱115的一個側(cè)壁上的由掩摸圖案147露出的阻擋膜140， 以使襯墊氮化物膜125和氮化物膜135露出。參考圖2c，執(zhí)行濕式蝕刻工序以移除掩摸圖案147和犧牲氧化物膜145。然后，相 同地執(zhí)行如圖11所示的工序以形成觸點孔。觸點孔155的寬度由在圖Ic所示的步驟中對半導(dǎo)體基板100進(jìn)行蝕刻的蝕刻深 度“D1”來確定。與利用光刻工序形成觸點孔的工序相比，可以在預(yù)定臨界尺寸下更精確地 控制蝕刻深度D1。這樣，可以改善觸點孔的臨界尺寸(⑶)均一性。觸點孔電連接至例如形 成于觸點孔上的埋入式位線圖案。如上所述，本發(fā)明實施例可以減少形成觸點孔時的工序 步驟，并以更均一的臨界尺寸在精確的位置形成觸點孔。可以使包括觸點孔在內(nèi)的區(qū)域的 硅層與周圍氧化物膜之間的階梯差異最小化，以改善沉積金屬層的后續(xù)工序中的階梯覆蓋 特性。本發(fā)明的上述實施例是示例性的而非限制性的。各種替代及等同的方式都是可行 的。本發(fā)明并不限于本文所述沉積、蝕刻、拋光和圖案化步驟的類型。本發(fā)明也不限于任何 特定類型的半導(dǎo)體器件。舉例來說，本發(fā)明可以用于動態(tài)隨機(jī)存取存儲器件(DRAM)或非易 失性存儲器件。對本發(fā)明內(nèi)容所作的其它增加、刪減或修改是顯而易見的并且落入所附權(quán) 利要求書的范圍內(nèi)。本申請要求2010年2月1日提交的韓國專利申請No. 10-2010-0009298的優(yōu)先權(quán)， 上述韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括蝕刻半導(dǎo)體基板以形成第一柱，所述第一柱是所形成的多個柱的一部分； 在所述第一柱的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上沉積第一保護(hù)膜；利用所述第一柱和所述第一保護(hù)膜作為掩摸對所述半導(dǎo)體基板執(zhí)行第一蝕刻工序，以 使所述第一柱的下部延長并限定所述第一柱的第一延長下部；在所述第一柱的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁以及所述第一柱的第一延長下部上形成第一絕 緣膜；利用所述第一柱和所述第一絕緣膜作為掩摸對所述半導(dǎo)體基板執(zhí)行第二蝕刻工序，以 使所述第一柱的下部延長并限定所述第一柱的第二延長下部；至少在所述第一柱的第二延長下部上形成第二保護(hù)膜和第二絕緣膜； 在包括所述第一延長下部和所述第二延長下部在內(nèi)的所述第一柱的第一側(cè)壁和第二 側(cè)壁上沉積阻擋膜，所述阻擋膜被沉積在所述第二絕緣膜上；以及移除設(shè)置在所述第一柱的第一側(cè)壁上的所述第一絕緣膜、所述第二絕緣膜和所述阻擋 膜以限定使所述第一柱的第一側(cè)壁的一部分露出的觸點孔，所述觸點孔限定在所述第一保 護(hù)膜與所述第二保護(hù)膜之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一保護(hù)膜和所述第二保護(hù)膜包括氧化物膜，設(shè)置在所述第二側(cè)壁上的所述第一絕緣膜、所述第二絕緣膜和所述阻擋膜保持完好， 所述第二側(cè)壁位于所述第一側(cè)壁的相對側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一柱的上表面設(shè)置有硬掩摸圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜包括氮化物膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中， 所述阻擋膜包括氮化鈦膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述阻擋膜利用如下步驟來移除，所述步驟包括形成如下犧牲氧化物膜，所述犧牲氧化物膜的高度低于所述半導(dǎo)體基板上的所述第一 柱的上表面的高度；在所述第一柱和所述犧牲氧化物膜上沉積多晶硅層；移除所述多晶硅層的第一部分以使位于所述第一柱的第一側(cè)壁附近的所述阻擋膜露 出；以及移除露出的所述阻擋膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中， 所述犧牲氧化物膜包括SOD膜，位于所述第一柱的第二側(cè)壁附近的所述阻擋膜保持被所述多晶硅層覆蓋并且在移除 所述第一側(cè)壁附近的阻擋膜時不被移除。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中， 移除所述多晶硅層的第一部分的步驟包括在不將離子注入到所述多晶硅層的第一部分的情況下將離子注入到所述多晶硅層的 第二部分中；以及移除所述第一多晶硅層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中， 所述離子注入的工序執(zhí)行多次。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述離子注入的工序以相對于與所述半導(dǎo)體基板的表面垂直的角度在0°至30°的 范圍內(nèi)的角度執(zhí)行。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在使所述第一側(cè)壁附近的所述阻擋膜露出之后，移除所述多晶硅層和所述犧牲氧化物膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述阻擋膜利用如下步驟來移除，所述步驟包括 在所述半導(dǎo)體基板和所述第一柱上形成犧牲氧化物膜； 移除所述犧牲氧化物膜以使所述第一柱露出；在所述第一柱的上表面和所述犧牲氧化物膜的上表面上形成使位于所述第一柱的第 一側(cè)壁附近的阻擋膜露出的掩摸圖案；以及 移除從所述掩摸圖案露出的阻擋膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中， 所述掩摸圖案包括氧化物膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在移除所述第一側(cè)壁附近的阻擋膜之后，移除所述掩摸圖案和所述犧牲氧化物膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二絕緣膜通過將所述第二保護(hù)膜的表面氮化來獲得。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一柱的第一延長下部的深度具有作為蝕刻目標(biāo)的最終形成的觸點孔的臨界尺等。
17.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括 蝕刻半導(dǎo)體基板以形成柱；在所述柱的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上形成由第一材料形成的第一膜，所述第一側(cè)壁和所 述第二側(cè)壁位于所述柱的相對兩側(cè)；蝕刻所述半導(dǎo)體基板以使所述柱的下部延長并限定所述柱的第一延長部分； 在所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁以及所述第一延長部分上形成由第二材料形成的第一膜；蝕刻所述半導(dǎo)體基板以使所述柱的下部延長并在所述第一延長部分下方限定所述柱 的第二延長部分；至少在所述第二延長部分上形成由第一材料形成的第二膜；至少在所述由第一材料形成的第二膜上形成由第二材料形成的第二膜；在包括所述第一延長部分和所述第二延長部分在內(nèi)的所述柱的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上形成由第三材料形成的膜，所述由第三材料形成的膜沉積在所述由第二材料形成的第二 膜上；以及移除位于所述第一側(cè)壁附近的所述由第二材料形成的第一膜、所述由第二材料形成的 第二膜以及所述由第三材料形成的膜以限定使所述柱的第一側(cè)壁的一部分露出的觸點孔， 所述觸點孔限定在所述由第一材料形成的第一膜與所述由第一材料形成的第二膜之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第一材料是氧化物，所述第二材料是氮化物，并且所述第三材料包括氮化鈦。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，位于所述第二側(cè)壁附近的所述由第二材料形成的第一膜、所述由第二材料形成的第二 膜、以及所述由第三材料形成的膜在移除步驟期間保持完好。
20.一種半導(dǎo)體器件，包括 柱，其形成于基板上；第一保護(hù)膜，其形成于所述柱的第一側(cè)壁的上部； 第二保護(hù)膜，其形成于所述柱的第二側(cè)壁的上部； 第三保護(hù)膜，其形成于所述柱的第一側(cè)壁的下部；第一間隔，其限定在所述第一保護(hù)膜與所述第三保護(hù)膜之間，所述第一間隔使所述柱 的第一側(cè)壁露出；第四保護(hù)膜，其形成于所述柱的第二側(cè)壁的下部；第二間隔，其限定在所述第二保護(hù)膜與所述第四保護(hù)膜之間，所述第二間隔使所述柱 的第二側(cè)壁露出；以及絕緣膜，其形成于所述第二保護(hù)膜、所述第二間隔和所述第四保護(hù)膜上。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述絕緣膜包括第一絕緣膜，其形成于所述第二保護(hù)膜和所述第二間隔上；以及 第二絕緣膜，其形成于所述第四保護(hù)膜上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，該方法包括蝕刻半導(dǎo)體基板以形成多個柱；在柱的側(cè)壁上沉積第一保護(hù)膜；首先用沉積有第一保護(hù)膜的柱作為掩模蝕刻所述半導(dǎo)體基板；在所述柱的側(cè)壁以及經(jīng)首次蝕刻的半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜；用包括第一絕緣膜的柱作為掩模再次蝕刻半導(dǎo)體基板；在經(jīng)再次蝕刻的半導(dǎo)體基板的表面上形成第二保護(hù)膜和第二絕緣膜；在包括第二絕緣膜的柱的側(cè)壁上沉積阻擋膜；以及移除位于柱的一個側(cè)壁處的第一絕緣膜、第二絕緣膜和阻擋膜以形成由第一保護(hù)膜與第二保護(hù)膜限定的觸點孔。
文檔編號H01L23/52GK102142394SQ20101025908
公開日2011年8月3日 申請日期2010年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月1日
發(fā)明者成旼哲 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司