技術(shù)編號：6950448
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，更具體地，本發(fā)明涉及一種MOS晶體管源漏應(yīng)力區(qū)的形成方法及MOS晶體管制作方法。背景技術(shù)隨著集成電路制造技術(shù)的不斷發(fā)展，MOS晶體管的特征尺寸也越來越小。然而，在 MOS晶體管特征尺寸不斷縮小的同時，器件功耗與速度之間的矛盾日益凸顯，并阻礙了集成電路技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。提高M(jìn)OS晶體管溝道區(qū)的載流子遷移率是解決所述功耗-速度矛盾的有效手段。 在溝道區(qū)載流子遷移率大幅提升的基礎(chǔ)上，MOS晶體管可以采用較低的電源電壓以降低功耗；同時還可以保證器...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。