技術(shù)編號(hào)：6950445
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，具體涉及含有場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半 導(dǎo)體器件及該半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù)近些年來，對(duì)于減小場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極長(zhǎng)度的技術(shù)障礙逐漸增多。為了緩解這 種情形，人們把注意力集中于高遷移率溝道材料，例如，應(yīng)變Si、SiGe、Ge等。另外，已知的 是當(dāng)減小柵極長(zhǎng)度時(shí)，在晶體管的工作速度方面，在源極端處的載流子注入速度比載流子 遷移率更為重要。在JP-A-2004_39762(專利文獻(xiàn)1)所披露的晶體管中，就源極端而言，當(dāng)使載流子 從Si層區(qū)域移動(dòng)至SihG...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。