技術(shù)編號：6950254
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，特別涉及一種采用兩個控制柵極的平面溝道型，屬于半導(dǎo)體存儲器。背景技術(shù)半導(dǎo)體存儲器被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品之中。不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體存儲器的構(gòu)造、性能和密度有著不同的要求。比如，靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)擁有很高的隨機(jī)存取速度和較低的集成密度，而標(biāo)準(zhǔn)的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)則具有很高的密度和中等的隨機(jī)存取速度?，F(xiàn)有的半導(dǎo)體隨機(jī)存儲器單元主要有單晶體管單電容器(1T-1C)動態(tài)隨機(jī)存儲器單元、6晶體管(6-T)靜態(tài)隨機(jī)存儲器單元和單晶體管浮...
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