技術(shù)編號：6950202
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種NMOS晶體管及其形成方法。 背景技術(shù)在現(xiàn)有的NMOS晶體管的制造技術(shù)中，通常首先在半導(dǎo)體襯底上形成柵氧層，在柵氧層上形成柵導(dǎo)電層(通常叫柵電極層)，然后通過刻蝕柵導(dǎo)電層和柵氧層形成柵極，接著在柵極兩側(cè)的襯底中通過離子注入形成源極區(qū)和漏極區(qū)，從而形成NMOS晶體管。給NMOS 晶體管的柵極施加電壓后，會在源極區(qū)和漏極區(qū)之間形成導(dǎo)電溝道，再在源極區(qū)和漏極區(qū)之間形成電勢差，源極區(qū)和漏極區(qū)之間就會形成電流。其中，所述柵氧層可以起...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。