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Nmos晶體管及其形成方法

文檔序號:6950202閱讀:371來源:國知局
專利名稱:Nmos晶體管及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種NMOS晶體管及其形成方法。
背景技術(shù)
在現(xiàn)有的NMOS晶體管的制造技術(shù)中,通常首先在半導(dǎo)體襯底上形成柵氧層,在柵氧層上形成柵導(dǎo)電層(通常叫柵電極層),然后通過刻蝕柵導(dǎo)電層和柵氧層形成柵極,接著在柵極兩側(cè)的襯底中通過離子注入形成源極區(qū)和漏極區(qū),從而形成NMOS晶體管。給NMOS 晶體管的柵極施加電壓后,會(huì)在源極區(qū)和漏極區(qū)之間形成導(dǎo)電溝道,再在源極區(qū)和漏極區(qū)之間形成電勢差,源極區(qū)和漏極區(qū)之間就會(huì)形成電流。其中,所述柵氧層可以起到絕緣隔離的作用,防止柵極和源極區(qū)、柵極和漏極區(qū)之間形成漏電流。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體晶片朝向高集成度方向發(fā)展,NMOS晶體管的柵臨界尺寸逐漸縮小,例如臨界尺寸縮小到了 65nm或者45nm。為了提高器件的性能, 通常柵氧層的厚度很薄,例如20埃,因此襯底內(nèi)的載流子比如電子就可能會(huì)在柵極電壓和源極區(qū)電壓差的作用下或者柵極電壓和漏極區(qū)電壓差的作用下通過柵氧層進(jìn)入柵電極,從而在源極區(qū)和柵極、以及漏極區(qū)和柵極之間產(chǎn)生漏電流。為了解決上述漏電流的問題,傳統(tǒng)技術(shù)中會(huì)在NMOS管的制造過程中向襯底摻雜 H(氫)離子,這樣氫離子可以和硅原子結(jié)合,從而防止硅的電子逃走,但是由于Si-H鍵不夠穩(wěn)定,在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)漏電流仍然較大,專利號為5972765的美國專利中公開了一種改進(jìn)方案,通過將摻雜的H離子替換為D (氘)離子來進(jìn)一步防止在源極區(qū)和柵極、以及漏極區(qū)和柵極之間產(chǎn)生漏電流的問題,由于Si-D鍵比Si-H鍵更穩(wěn)定,因此可以更好的防止硅的電子逃走。但是現(xiàn)有的方法通常在形成NMOS晶體管之后摻雜D離子,D離子的摻雜效果不是很好,因此還可能存在漏電流的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種NMOS晶體管及其形成方法,減小了柵極和源極區(qū), 柵極和漏極區(qū)之間的漏電流。為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種NMOS晶體管形成方法,包括步驟提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其包括襯底,位于襯底上的柵極結(jié)構(gòu);在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成凹陷;利用半導(dǎo)體材料填充所述凹陷,形成半導(dǎo)體材料層,在形成所述半導(dǎo)體材料層的過程中向所述襯底及所述半導(dǎo)體材料層摻雜D離子;在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成源極區(qū)和漏極區(qū),所述半導(dǎo)體材料層部分或者全部位于所述源極區(qū)和漏極區(qū)內(nèi)。可選的,所述半導(dǎo)體材料層為SiC層??蛇x的,所述凹陷的深度小于源極區(qū)和漏極區(qū)的深度,所述凹陷的寬度大于源極區(qū)和漏極區(qū)的寬度??蛇x的,所述在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成凹陷的步驟包括形成覆蓋柵極結(jié)構(gòu)和襯底的絕緣層;刻蝕所述覆蓋有絕緣層的柵極結(jié)構(gòu)和襯底??蛇x的,在所述形成半導(dǎo)體材料層的步驟之后,和形成源極區(qū)和漏極區(qū)步驟之前還包括去除柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的絕緣層??蛇x的,所述柵極結(jié)構(gòu)還包括位于柵極頂部的薄膜介電層。可選的,所述半導(dǎo)體材料層為SiC層,所述利用半導(dǎo)體材料填充所述凹陷,形成半導(dǎo)體材料層,在形成所述半導(dǎo)體材料層的過程中向所述襯底及所述半導(dǎo)體材料層摻雜D離子的步驟包括將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)放置在腔室中;在所述腔室中去除所述凹陷表面的氧化物;向腔室中通入D2;在具有D2的腔室中外延生長SiC層??蛇x的,形成SiC層的工藝參數(shù)為通入SiH2CL2的流量為30sccm 300sccm, SiH3CH3或C2H4的流量為5sccm 500sccm, HCL的流量為50sccm 200sccm, D2的流量為 Islm 50slm,溫度550攝氏度 800攝氏度,腔室壓力5Torr 20Torr??蛇x的,形成SiC層的工藝參數(shù)為通入SiH4W流量為30sccm 300sccm,SiH3CH3 或C2H4的流量為5sccm 500sccm, HCL的流量為50sccm 200sccm, D2的流量為Islm 50slm,溫度550攝氏度 800攝氏度,腔室壓力5Torr 20Torr。另外還提供了一種利用上述的NMOS晶體管形成方法形成的NMOS晶體管。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明主要具有以下優(yōu)點(diǎn)通過在將形成源極區(qū)和漏極區(qū)對應(yīng)的半導(dǎo)體襯底中形成凹陷,從而向具有凹陷的襯底內(nèi)摻雜D離子,這樣使得D離子向源極區(qū)和漏極區(qū)之間的溝道區(qū)摻雜的深度和均勻度更好,并且本發(fā)明進(jìn)一步的在源極區(qū)和漏極區(qū)形成SiC層的同時(shí)摻雜D離子,既節(jié)省了工藝步驟,又提高了 NMOS晶體管的載流子遷移率。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說明,本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖,重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1為本發(fā)明的NMOS晶體管形成方法的流程圖;圖2至圖5為本發(fā)明的NMOS晶體管形成方法一實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式由背景技術(shù)可知,現(xiàn)有技術(shù)中,為了防止在NMOS管的溝道區(qū)產(chǎn)生漏電流,因此會(huì)向襯底內(nèi)摻雜H離子,這樣H離子可以和硅原子結(jié)合,從而防止硅的電子逃走,但是由于 Si-H鍵不夠穩(wěn)定,因此還會(huì)存在漏電流的問題。因此隨著技術(shù)的發(fā)展人們又進(jìn)一步的研究出利用D離子代替H離子的方法,但是現(xiàn)有的摻雜D離子的方法對于D離子的摻雜效果不好。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)研究得到了一種NMOS晶體管形成方法,通過在將形成源極區(qū)和漏極區(qū)對應(yīng)的半導(dǎo)體襯底中形成凹陷,從而向具有凹陷的襯底內(nèi)摻雜D離子,這樣使得D離子向源極區(qū)和漏極區(qū)之間的溝道區(qū)摻雜的深度和均勻度更好,并且本發(fā)明進(jìn)一步的在源極區(qū)和漏極區(qū)形成SiC層的同時(shí)摻雜D離子,既節(jié)省了工藝步驟,又提高了 NMOS晶體管的載流子遷移率。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)現(xiàn)方式做詳細(xì)的說明。本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述,在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí), 為便于說明,表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大,而且所述示意圖只是實(shí)例,其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外,在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖1為本發(fā)明的NMOS晶體管形成方法的流程圖。如圖1所示,本發(fā)明的NMOS晶體管形成方法包括下列步驟S101,提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其包括襯底,位于襯底上的柵極結(jié)構(gòu);S103,在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成凹陷;S107,利用半導(dǎo)體材料填充所述凹陷,形成半導(dǎo)體材料層,在形成所述半導(dǎo)體材料層的過程中向所述襯底及所述半導(dǎo)體材料層摻雜D離子;S109,在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成源極區(qū)和漏極區(qū),所述半導(dǎo)體材料層部分或者全部位于所述源極區(qū)和漏極區(qū)內(nèi)。圖2至圖5為本發(fā)明的NMOS晶體管形成方法一實(shí)施例的示意圖。下面結(jié)合圖1 至圖5對本發(fā)明的NMOS晶體管形成方法一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。首先,執(zhí)行步驟S101,參考圖2,提供所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)201。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)201包括形成NMOS晶體管的第一區(qū)域A和NMOS晶體管以外的第二區(qū)域B,例如第二區(qū)域B可以形成PMOS晶體管。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)201包括襯底203和位于襯底203上的柵極結(jié)構(gòu)205。 所述襯底203可以是單晶硅、多晶硅或非晶硅;所述襯底203也可以是硅、鍺、砷化鎵或硅鍺化合物;該襯底203還可以具有外延層或絕緣層上硅結(jié)構(gòu);所述襯底203還可以是其它半導(dǎo)體材料,這里不再一一列舉。所述柵極結(jié)構(gòu)205包括在襯底203上形成的柵氧層207、柵氧層207上的柵電極 209和位于柵電極209兩側(cè)的氧化硅層204。柵氧層207可以為二氧化硅材料。柵極209 的材料可以為多晶硅??蛇x的,所述柵極結(jié)構(gòu)205還包括位于柵極209頂部的薄膜介電層206,例如可以為氧化硅或氮化硅層。在后續(xù)的刻蝕步驟中,所述薄膜介電層可以起到保護(hù)所述柵極209 不受損傷的作用。接著,執(zhí)行步驟S103,在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成凹陷,參考圖3,具體的可以形成覆蓋柵極結(jié)構(gòu)205和襯底203的絕緣層210,然后在待形成NMOS晶體管以外的區(qū)域 (即其它不需要刻蝕的區(qū)域)上形成掩膜層211,例如所述絕緣層可以為利用化學(xué)氣相淀積的方法形成的氧化硅或者氮化硅材料層,所述掩膜層211可以為旋涂法形成的光刻膠材料層。然后,利用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的刻蝕方法,在柵極結(jié)構(gòu)205兩側(cè)的襯底203中刻蝕形成凹陷213,所述凹陷213的深度和寬度可以大于、小于或等于將要形成的源極區(qū)和漏極區(qū)的深度和寬度。在本實(shí)施例中,所述凹陷213的深度小于源極區(qū)和漏極區(qū)的深度,所述凹陷213的寬度大于源極區(qū)和漏極區(qū)的寬度。在該步刻蝕中,襯底203的刻蝕選擇比大于所述薄膜介電層206的刻蝕選擇比,從而所述薄膜介電層可以起到保護(hù)所述柵極209不受損傷的作用。所述刻蝕可以是任何常規(guī)刻蝕技術(shù),比如化學(xué)刻蝕技術(shù)或者等離子體刻蝕技術(shù), 在本實(shí)施例中,采用等離子體刻蝕技術(shù),采用CF4、CHF3> CH2F2, CH3F, C4F8或者C5F8中的一種或者幾種作為反應(yīng)氣體??涛g的工藝可以為等離子體刻蝕工藝,具體包括選用電感耦合等離子體型刻蝕設(shè)備,在刻蝕過程中,例如刻蝕氣體包括Ar以及CF4和CH2F2等含氟氣體,CF4和CH2F2流量比為1 1至1 4,例如1 2、1 3。在反應(yīng)室內(nèi)同時(shí)通入上述氣體,其中氬氣He起到稀釋刻蝕氣體的作用,其流量為lOOsccm 500Sccm。起刻蝕作用的氣體中,CF4的流量為 IOsccm 200sccm ;CH2F2的流量為IOsccm lOOsccm。反應(yīng)室內(nèi)將所述氣體電離為等離子體的射頻功率源的輸出功率為IOOW 1000W,偏置電壓源的輸出功率為IOOW 1000W。反應(yīng)室內(nèi)的壓力設(shè)置為5mTorr 20mTorr。所述刻蝕工藝還可以在其它刻蝕設(shè)備中進(jìn)行,如電容耦合等離子體型刻蝕設(shè)備、感應(yīng)耦合等離子刻蝕設(shè)備。由于柵極209頂部覆蓋有薄膜介電層206,因此可以使得刻蝕停止在薄膜介電層206。接著,執(zhí)行步驟S107,利用半導(dǎo)體材料填充所述凹陷,形成半導(dǎo)體材料層,在形成所述半導(dǎo)體材料層的過程中向所述襯底及所述半導(dǎo)體材料層摻雜D離子,具體的參考圖4, 先將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)201放置在腔室214中,然后對所述腔室214進(jìn)行抽真空,向腔室中通入D2或D離子,然后對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行烘焙,從而去除所述凹陷213表面的在刻蝕后被空氣氧化形成的氧化物,例如烘焙溫度為650攝氏度 850攝氏度,時(shí)間為60sec 150sec,繼續(xù)向腔室中通入D2或D離子,外延生長SiC層,直到SiC層216和襯底203齊平。在一具體實(shí)現(xiàn)中,所述形成SiC層的參數(shù)為通入SHl2CL2的流量為30sCCm 300sccm, SiH3CH3 的流量為 5sccm 500sccm,HCL 的流量為 50sccm 200sccm,D2 的流量為Islm 50slm,溫度550攝氏度 800攝氏度,腔室壓力5Torr 20Torr。其中可以用 C2H4 代替 SiH3CH3。在另一具體實(shí)現(xiàn)中,所述形成SiC層的參數(shù)為通入SiH4的流量為30sCCm 300sccm, SiH3CH3 的流量為 5sccm 500sccm,HCL 的流量為 50sccm 200sccm,D2 的流量為Islm 50slm,溫度550攝氏度 800攝氏度,腔室壓力5Torr 20Torr。其中可以用 C2H4 代替 SiH3CH3。該步驟在形成SiC層的同時(shí)向SiC層和襯底摻雜了 D離子,從而使得SiC層中含
有D離子。由于在襯底203暴露在空氣中容易被氧化,因此先利用上述烘培步驟去除襯底凹陷213表面的氧化物,有利于后續(xù)SiC層的形成。在該步驟后可以去除柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的絕緣層210。該方法可以利用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法,例如清洗或者灰化。在其它實(shí)施例中半導(dǎo)體材料也可以為除SiC之外的其它材料,例如硅、鍺、砷化鎵或硅鍺化合物。
接著,執(zhí)行步驟S109,在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述半導(dǎo)體材料層對應(yīng)位置形成源極區(qū)和漏極區(qū),所述半導(dǎo)體材料層部分或者全部位于所述源極區(qū)和漏極區(qū)內(nèi),具體參考圖 5,包括在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻層217,該步驟可以利用本領(lǐng)與技術(shù)人員熟知的方法,例如形成ONO結(jié)構(gòu)(氧化硅-氮化硅-氧化硅)的側(cè)墻層217,然后向柵極結(jié)構(gòu)205及其側(cè)墻層217兩側(cè)的所述SiC層的襯底203區(qū)域中進(jìn)行離子注入。該步可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法,例如采用離子注入的方式向柵極結(jié)構(gòu)及其側(cè)墻層的襯底注入P型離子,例如硼離子,在柵極結(jié)構(gòu)及其側(cè)墻層的襯底中便形成低電阻率的源極區(qū)218和漏極區(qū)215。所述源極區(qū)218和漏極區(qū)215可以全部形成于所述SiC層內(nèi),也可以部分形成于 SiC層內(nèi)。在本實(shí)施例中所述SiC層的深度小于源極區(qū)和漏極區(qū)的深度,所述SiC層的寬度會(huì)大于或等于源極區(qū)和漏極區(qū)的寬度。在本發(fā)明中利用在源極區(qū)和漏極區(qū)位置形成SiC層的過程中,向SiC層中也就是源極區(qū)和漏極區(qū)中引入了 D離子,由于在源極區(qū)和漏極區(qū)的位置形成了凹陷,因此這樣更容易向襯底內(nèi)引入D離子,使得D離子更好的分布在溝道區(qū),使得D離子和Si形成Si-D鍵, 防止Si的電子逃走,形成漏電流。相比與現(xiàn)有技術(shù)中在NMOS晶體管形成之后再摻雜D離子,本發(fā)明的在摻雜D離子的過程中,D離子更容易沿著凹陷的側(cè)壁向溝道區(qū)擴(kuò)散,并且D離子的擴(kuò)散深度也更深,本發(fā)明由于是在形成SiC層的過程中摻雜,因此D離子在形成SiC層的過程中被很好的摻雜在SiC層內(nèi),從而便于橫向擴(kuò)散進(jìn)溝道區(qū),這樣都使得本發(fā)明摻雜的D離子的效果更好。優(yōu)化地,所述SiC層內(nèi)可以具有應(yīng)力,對于NMOS晶體管來說,所述應(yīng)力為拉應(yīng)力, 可以向NMOS晶體管的溝道中施加壓應(yīng)力,由于NMOS晶體管的溝道壓應(yīng)力越大則載流子的遷移率越高,從而SiC層向NMOS晶體管的溝道中施加壓應(yīng)力可以提高NMOS晶體管的載流子遷移率,從而提高器件的性能。因此本發(fā)明在減少漏電的同時(shí)還進(jìn)一步的提高了 NMOS晶體管的載流子遷移率, 而且不需要額外的摻雜和退火步驟,在簡化NMOS晶體管制造工藝的同時(shí)提供了器件的性能。在其它實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體材料也可以是除SiC之外的其它應(yīng)力材料,例如 SiGe,另外也可以是其它沒有應(yīng)力的材料等。參考圖5所示,相應(yīng)的,本發(fā)明還提供了一種利用上述方法形成的NMOS晶體管, 包括襯底,位于襯底中的源極區(qū)、漏極區(qū)以及位于源極區(qū)和漏極區(qū)之間的襯底上的柵極結(jié)構(gòu),還包括位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中的半導(dǎo)體材料層,所述半導(dǎo)體材料層部分或者全部位于源極區(qū)和漏極區(qū)中,半導(dǎo)體材料層中、所述源極區(qū)和漏極區(qū)之間的襯底中含有D離子。以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下,都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾,或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此,凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種NMOS晶體管形成方法,其特征在于,包括步驟提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其包括襯底,位于襯底上的柵極結(jié)構(gòu);在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成凹陷;利用半導(dǎo)體材料填充所述凹陷,形成半導(dǎo)體材料層,在形成所述半導(dǎo)體材料層的過程中向所述襯底及所述半導(dǎo)體材料層摻雜D離子;在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成源極區(qū)和漏極區(qū),所述半導(dǎo)體材料層部分或者全部位于所述源極區(qū)和漏極區(qū)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NMOS晶體管形成方法,其特征在于,所述半導(dǎo)體材料層為 SiC 層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NMOS晶體管形成方法,其特征在于,所述凹陷的深度小于源極區(qū)和漏極區(qū)的深度,所述凹陷的寬度大于源極區(qū)和漏極區(qū)的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NMOS晶體管形成方法,其特征在于,所述在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成凹陷的步驟包括形成覆蓋柵極結(jié)構(gòu)和襯底的絕緣層;刻蝕所述覆蓋有絕緣層的柵極結(jié)構(gòu)和襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的NMOS晶體管形成方法,其特征在于,在所述形成半導(dǎo)體材料層的步驟之后,和形成源極區(qū)和漏極區(qū)步驟之前還包括去除柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NMOS晶體管形成方法,其特征在于,所述柵極結(jié)構(gòu)還包括位于柵極頂部的薄膜介電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的NMOS晶體管形成方法,其特征在于,所述半導(dǎo)體材料層為 SiC層,所述利用半導(dǎo)體材料填充所述凹陷,形成半導(dǎo)體材料層,在形成所述半導(dǎo)體材料層的過程中向所述襯底及所述半導(dǎo)體材料層摻雜D離子的步驟包括將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)放置在腔室中;在所述腔室中去除所述凹陷表面的氧化物;向腔室中通入D2 ;在具有D2的腔室中外延生長SiC層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的NMOS晶體管形成方法,其特征在于,形成SiC層的工藝參數(shù)為通入 SiH2CL2 的流量為 30sccm 300sccm, SiH3CH3 或 C2H4 的流量為 5sccm 500sccm, HCL的流量為50sccm 200sccm,D2的流量為Islm 50slm,溫度550攝氏度 800攝氏度,腔室壓力5Torr 201~01·!·。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的NMOS晶體管形成方法,其特征在于,形成SiC層的工藝參數(shù)為通入 SiH4 的流量為 30sccm 300sccm,SiH3CH3 或 C2H4 的流量為 5sccm 500sccm,HCL 的流量為50sccm 200sccm,D2的流量為Islm 50slm,溫度550攝氏度 800攝氏度,腔室壓力5Torr 20Torr。
10.一種利用權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的NMOS晶體管形成方法形成的NMOS晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種NMOS晶體管形成方法及NMOS晶體管,所述形成方法包括步驟提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其包括襯底,位于襯底上的柵極結(jié)構(gòu);在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成凹陷;利用半導(dǎo)體材料填充所述凹陷,形成半導(dǎo)體材料層,在形成所述半導(dǎo)體材料層的過程中向所述襯底及所述半導(dǎo)體材料層摻雜D離子;在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成源極區(qū)和漏極區(qū),所述半導(dǎo)體材料層部分或者全部位于所述源極區(qū)和漏極區(qū)內(nèi),本發(fā)明減小NMOS晶體管的漏電流。
文檔編號H01L29/78GK102376573SQ20101025355
公開日2012年3月14日 申請日期2010年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月10日
發(fā)明者何有豐, 胡亞蘭 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
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