技術(shù)編號：6949945
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種減反射膜及其制備方法，具體涉及一種應(yīng)用于晶體硅太陽能電池 表面的減反射膜及其制備方法。背景技術(shù)當(dāng)今世界，常規(guī)能源的持續(xù)使用帶來了能源緊缺以及環(huán)境惡化等一系列經(jīng)濟和社 會問題，發(fā)展太陽能電池是解決上述問題的途經(jīng)之一。因此，世界各國都在積極開發(fā)太陽能 電池，而高轉(zhuǎn)換效率、低成本是太陽能電池發(fā)展的主要趨勢，也是技術(shù)研究者追求的目標(biāo)目前，晶體硅太陽能電池制造包括如下步驟⑴硅片清洗制絨；(2)擴散制備PN 結(jié)；(3)刻蝕去除硅片四周的PN結(jié)；(4)清洗...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。