技術(shù)編號：6949818
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器 件，尤其涉及一種高壓功率半導(dǎo)體器件的邊緣終端 結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)功率半導(dǎo)體器件，如垂直雙擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管(VDMOS)、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)等，為了得到一定的電流能力，往往是由若干元胞并聯(lián)而成。由于元胞與元胞之間相 互之間形成耗盡，因而不容易發(fā)生擊穿。但是邊緣元胞(又稱過渡區(qū)或主結(jié))由于耗盡層 邊緣的曲率半徑小，造成電場線密集，它的電場強(qiáng)度遠(yuǎn)高于體內(nèi)，因而擊穿電壓會(huì)遠(yuǎn)低于體 內(nèi)，擊穿首先會(huì)發(fā)生在邊緣元胞的表面。因此要采取特殊結(jié)構(gòu)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。