技術(shù)編號(hào)：6949556
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種包括形成在襯底表面上的光電二極管的半導(dǎo)體器件以及用于制 造該半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)為了提高光電二極管的靈敏度，當(dāng)將反向偏壓施加于光電二極管的pn結(jié)時(shí)，期望 能抑制漏電流。漏電流用作沒有光入射時(shí)流動(dòng)的暗電流，導(dǎo)致靈敏度降低。在將反向偏壓 施加于光電二極管時(shí)形成的耗盡層與半導(dǎo)體材料(例如硅)和絕緣材料(例如氧化硅)之 間的界面接觸的情況下，增加了漏電流。為了在光電二極管的表面?zhèn)壬系膶?dǎo)電插塞與擴(kuò)散區(qū)之間形成歐姆接觸，將接觸部 分中的雜質(zhì)濃度設(shè)定...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。