技術(shù)編號(hào)：6948989
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種改善60納米級(jí)以下嵌入式高壓 器件，隨著高壓器件寬度改變閾值電壓變化曲線的方法，改善后的高壓器件結(jié)構(gòu)也一并提 出ο背景技術(shù)場(chǎng)效應(yīng)管器件(M0SFET，后文稱為“器件”)是集成電路中的基本元器件之一，其基 本物理原理已經(jīng)被行業(yè)技術(shù)人員熟知。以下公式(1)中列出了器件的閾值電壓(Vth)的計(jì) 算公式。公式(1)中，Vth為閾值電壓，Vfb為平帶電壓，巧為費(fèi)米勢(shì)，Na為溝道摻雜濃度 (該公式為NM0SFET的計(jì)算公式)，ε為介電...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。