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凹陷溝道的碰撞電離型場效應(yīng)晶體管及其制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:6947956

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本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體器件,具體涉及一種功率半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及 其制造方法,特別涉及一種。背景技術(shù)功率半導(dǎo)體器件是不斷發(fā)展的功率_電子系統(tǒng)的內(nèi)在驅(qū)動力,尤其是在節(jié)約能 源、動態(tài)控制、噪聲減少等方面,有著不可替代的功效。功率半導(dǎo)體主要應(yīng)用于對能源與負(fù) 載之間能量傳遞的控制,擁有精度高、速度快和功耗低的特點(diǎn)。最近20年來,功率器件及其 封裝技術(shù)迅猛發(fā)展,尤其是功率MOS晶體管,以其輸入阻抗高、關(guān)斷時間短等優(yōu)越的特性, 在許多應(yīng)用領(lǐng)域中取代了傳統(tǒng)的雙極型晶體管。...
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