技術(shù)編號(hào)：6947680
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，具體來說，涉及一種減少柵極等效氧化層厚度的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)作為微電子技術(shù)核心的CMOS技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品中的支撐力量。隨著 CMOS器件特征尺寸的不斷減小，作為CMOS器件柵介質(zhì)材料的SiO2的物理厚度已逐漸臨近極限。采用高k柵介質(zhì)材料和金屬柵電極材料，標(biāo)志著從推出多晶硅柵MOS晶體管以來，晶體管技術(shù)的一個(gè)突破，具有里程碑作用。高k柵介質(zhì)材料的引入可以保證在同等等效氧化層厚度(EOT)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。