技術(shù)編號(hào):6947426
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種MOS器件結(jié)構(gòu)及其制作工藝,尤其涉及一種防止浮體效應(yīng) (Floating Body Effect)及自加熱效應(yīng)(Self-heating Effect)的MOS器件結(jié)構(gòu)及其制作 工藝,屬于半導(dǎo)體制造。背景技術(shù)SOI (Silicon On Insulator)是指絕緣體上硅技術(shù),由于SOI技術(shù)減小了源漏的寄 生電容,SOI電路的速度相對(duì)傳統(tǒng)體硅電路的速度有顯著的提高,同時(shí)SOI還具有短溝道效 應(yīng)小,很好的抗閉鎖性,工藝簡(jiǎn)單等一系列優(yōu)點(diǎn),因此S...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。