技術(shù)編號(hào)：6946834
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，尤其是涉及一種應(yīng)用于半導(dǎo)體 CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)集成電路中的齊納二極管及其制造方法。背景技術(shù)不含雜質(zhì)的硅，稱之為本征硅。在本征硅中人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)，即可形成顯現(xiàn)導(dǎo)電特性的N型硅或P型硅。向本征硅中摻入V族元素(比如磷、砷、銻)后則形成N型硅， 向本征硅中摻入III族元素(比如硼)后則形成P型硅。通過合金法或平面擴(kuò)散法將P型硅和N型硅壓合在一起，則在兩者交接面附近會(huì)形成一個(gè)極薄的特殊區(qū)域，稱為PN結(jié)。將PN結(jié)在P區(qū)和N區(qū)各引出一條...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。