技術(shù)編號：6945522
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種TFET (Tunneling FET，隧道場效 應(yīng)管)的結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)隨著 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬半導(dǎo) 體氧化物場效應(yīng)管)尺寸不斷縮小，傳統(tǒng)的MOSFET結(jié)構(gòu)已經(jīng)無法適應(yīng)越來越高的要求。因 此，提出了一種TFET以適應(yīng)不斷提高的器件開關(guān)性能的要求。當(dāng)在TFET的柵極上施加一定的開啟電壓時(shí)，由于量子隧穿效應(yīng)，溝道區(qū)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。