技術(shù)編號(hào)：6944473
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其涉及具有其中布線相互交叉的交叉布線部分的 半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)當(dāng)包括晶體管的集成電路和晶體管以高于IOGHz的頻率帶進(jìn)行操作時(shí)，必須盡可 能多地減少柵電極周?chē)募纳娙菀源_保諸如晶體管中的增益或者特性的需要的性能。在如上所述的在高頻率帶中使用的晶體管中，尤其在使用諸如GaAs的化合物半 導(dǎo)體器件的晶體管中，氧化膜和氮化膜被形成為保護(hù)膜以穩(wěn)定晶體管的操作。然而，要求諸 如氧化膜和氮化膜的保護(hù)膜具有等于或者小于0. 2 μ m的厚...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。