專利名稱：半導體器件和半導體器件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體器件，尤其涉及具有其中布線相互交叉的交叉布線部分的 半導體器件。
背景技術：
當包括晶體管的集成電路和晶體管以高于IOGHz的頻率帶進行操作時，必須盡可 能多地減少柵電極周圍的寄生電容以確保諸如晶體管中的增益或者特性的需要的性能。在如上所述的在高頻率帶中使用的晶體管中，尤其在使用諸如GaAs的化合物半 導體器件的晶體管中，氧化膜和氮化膜被形成為保護膜以穩(wěn)定晶體管的操作。然而，要求諸 如氧化膜和氮化膜的保護膜具有等于或者小于0. 2 μ m的厚度以減少寄生電容，通常沒有 應用層間膜。在如上所述的晶體管和集成電路中，廣泛地應用了下述技術，其中沒有通過層 間膜支撐交叉布線部分并且用被其間插入的空氣分隔布線。此結構被稱為空氣橋結構?？諝鈽蚪Y構具有下述問題，由于制造工藝期間被施加給布線結構的外力、布線層 之間的機械振動以及熱應力導致上層布線變形，從而接觸下層布線。日本未經(jīng)審查的申請 公開No. 11-186381和10-12722公布一種半導體器件，該半導體器件具有防止由于上層布 線的變形導致布線相互接觸的結構。圖9是示出在日本未經(jīng)審查的申請公開No. 11-186381中公布的半導體器件的構 造的圖。在日本未經(jīng)審查的申請公開No. 11-186381中公布的半導體器件中，在圖紙的縱向 方向上延伸的下層布線71被形成在半導體基板70上。交叉下層布線71的上層布線74形 成為橫跨下層布線71并且其間插有間隔73。此外，絕緣膜的支撐柱72被形成在下層布線 71上以防止由于上層布線74和下層布線71之間的接觸導致出現(xiàn)短路。然而，在日本未經(jīng)審查的專利申請公開No. 11-186381中公布的半導體器件中，支 撐柱72部分地支撐上和下層布線但是不足以防止出現(xiàn)短路。具體地，在用于后表面的拋光 工藝和在空氣橋結構形成之后執(zhí)行的燒結工藝中晶圓表面接觸支撐柱72。當在上述工藝中 將外力施加到半導體器件時，位于沒有形成支撐柱72的區(qū)域中的上層布線74被按壓，從而 由于上層布線74和下層布線71之間的接觸偶然引起短路。此外，即使沒有出現(xiàn)短路，那么布線之間的電容變大，從而當布線之間的距離被減 少到大約0. 1 μ m時引起晶體管的相位偏離所設計的相位。因此，不能滿足設計階段中的相 位匹配條件。此外，因為由上述因素引起的上層布線的變形的量變化到很大程度，所以相位 的變化量也變化到很大程度。結果，不能夠獲得所想要的性能并且產(chǎn)品的吞吐量減少。另一方面，日本未經(jīng)審查的專利申請公開No. 10-12722公布一種技術，其中具有 大的厚度的絕緣膜75被形成在下層布線71上以確保布線之間的距離，并且具有小的厚度的絕緣膜76形成在下層布線71和半導體襯底70上以防止由于上層布線74和下層布線71 之間的接觸導致出現(xiàn)短路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)下述問題。在日本未經(jīng)審查的專利申請公開No. 10-12722中公 布的半導體器件中，當在其中通過CVD (化學氣相沉積)沉淀絕緣材料的沉淀工藝之后通過 其中以與下層布線71相同的輪廓蝕刻絕緣膜75的圖案化工藝制造被形成在下層布線71 上的絕緣膜75時，例如，在蝕刻期間下層布線71被損壞。因此，存在不能夠獲得所想要的 性能的問題。本發(fā)明的第一示例性實施例是一種半導體器件，其包括半導體基板；第一布線， 該第一布線被形成在半導體基板上；第二布線，該第二布線被形成為與第一布線交叉并且 在其中第一布線和第二布線相互交叉的交叉部分處在其間插入間隔；保護膜，該保護膜被 形成在半導體基板上以覆蓋第一布線的至少一部分，該部分位于交叉部分中的第二布線的 下方；以及絕緣膜，該絕緣膜以島狀被形成在交叉部分中第二布線的下方的保護膜上以位 于保護膜的邊緣之間并且覆蓋交叉部分中的第一布線。如上所述，在包括空氣橋結構的半導體器件中，具有島狀的絕緣膜被形成在第二 布線的下方的保護膜上以位于保護膜的邊緣之間并且覆蓋交叉部分中的第一布線。因此， 保護膜保護絕緣膜下方的下層的第一布線并且防止在形成絕緣膜時損壞第一布線。本發(fā)明的第二示例性方面是半導體器件的制造方法，包括在半導體基板上形成 第一布線；形成第二布線以與第一布線交叉并且在其中第一布線和第二布線相互交叉的交 叉部分處在其間插入間隔；在半導體基板上形成保護膜以覆蓋第一布線的至少一部分，該 部分位于交叉部分中第二布線的下方；以及在交叉部分中第二布線的下方的保護膜上以島 狀形成絕緣膜以位于保護膜的邊緣之間并且覆蓋交叉部分中的第一布線。如上所述，在包括空氣橋結構的半導體器件中，具有島狀的絕緣膜被形成在第二 布線的下方的保護膜上以位于保護膜的邊緣之間并且覆蓋交叉部分中的第一布線。因此， 保護膜保護絕緣膜下方的下層的第一布線并且防止在形成絕緣膜時損壞第一布線。


結合附圖，根據(jù)某些示例性實施例的以下描述，以上和其它方面、優(yōu)點和特征將更 加明顯，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的半導體器件的示例性構造的平面 圖；圖2是沿著圖1中的線II-II截取的橫截面圖；圖3A和圖3B是均示出根據(jù)第一示例性實施例的半導體器件的制造工藝的圖；圖4A和圖4B是均示出根據(jù)第一示例性實施例的半導體器件的制造工藝的圖；圖5是示出布線之間的距離與布線之間的電容之間的關系的圖；圖6示出絕緣膜的厚度和布線之間的電容之間的關系的圖；圖7A是示出在本發(fā)明的晶體管中在f = 30GHz處相位Sll的分布的圖；圖7B是示出在相關技術的晶體管中在f = 30GHz處相位Sll的分布的5
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的半導體器件的示例性構造的平面 圖；圖9是示出在日本未經(jīng)審查的專利申請公開No. 11-186381中公布的半導體器件 的交叉布線部分的圖；以及圖10是示出在日本未經(jīng)審查的專利申請公開No. 10-12722中公布的半導體器件 的交叉布線部分的圖。
具體實施例方式在下文中，將會描述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例的半導體器件和半導體器件的制造工藝。[第一示例性實施例]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的半導體器件的一部分的平面圖，并 且圖2是沿著圖1的線II-II截取的橫截面圖。在第一示例性實施例中，柵電極被構造為 下層布線的第一布線并且源電極被構造為上層布線的第二布線。在下文中，參考圖1和圖 2，將會描述根據(jù)第一示例性實施例的半導體器件的構造。如圖1中所示，半導體器件包括柵電極焊盤7、漏電極焊盤10、以及源電極6。漏 電極焊盤10被連接至漏電極4。漏電極4被形成為在圖紙的縱向方向上延伸。源電極6 被定位為夾著漏電極4。源電極6的兩側通過第二布線2被相互連接并且被提供有同一電 壓。絕緣膜3以島狀形成在交叉部分中的第二布線下方的保護膜上以位于保護膜的邊緣之 間并且覆蓋交叉部分中的第一布線。柵電極焊盤7被連接至柵電極5并且第一布線1被插入其間。第一布線1被形成 為在圖紙的縱向方向上延伸。一個柵電極5被形成在位于圖1中的左側的源電極6和漏電 極4之間，并且另一個柵電極5被形成在被位于右側上的源電極6與漏電極4之間。柵電 極5被定位為夾著漏電極4并且通過第一布線被提供有相同的電壓。在圖紙的縱向方向上延伸的第一布線1和在圖紙的水平方向上延伸的第二布線2 在交叉部分相互交叉。第二布線2被形成在交叉部分處以橫跨第一布線1并且其間插有預 定的間隔。即，根據(jù)本示例性實施例的半導體器件具有空氣橋結構，其中布線相互交叉并且 其間插入間隔。在下文中，在平面圖中第一布線1和第二布線2相互交叉的區(qū)域被稱為“交 叉部分”。在交叉部分中，具有島狀的絕緣膜3被形成在第一布線1和第二布線2之間以覆 蓋第一布線1。絕緣膜3以適當?shù)木鶆虻暮穸刃纬稍诘谝徊季€1的上表面和側表面上。使用圖2中所示的截面圖，將會解釋本示例性實施例。如上所述，在與被形成在半 導體基板11上的第一布線1的交叉部分中，第二布線2被形成為橫跨第一布線1并且其間 插入間隔9。在交叉部分中的第二布線2下方，即，交叉部分的內(nèi)部，保護膜8被形成在半導體 基板11上以覆蓋第一布線1的至少一部分。在圖1中省略了保護膜8的圖示。保護膜8被 形成為保護被形成在半導體基板11上的諸如晶體管等等的半導體元件。保護膜8可以由 SiN膜制成。優(yōu)選的是，保護膜8的厚度等于或者小于0. 2μπι以減少由第一布線1、保護膜 8、以及第二布線2組成的寄生電容器的電容值。例如，將保護膜8的厚度設計為0. 1 μ m。在交叉部分中第二布線下方的保護膜8上，通過圖案化形成具有島狀的絕緣膜3以位于保護膜8的邊緣之間并且覆蓋交叉部分中的第一布線1。即，保護膜8、絕緣膜3以 及間隔9位于第一布線1和第二布線2之間。優(yōu)選的是，第一布線1和第二布線2之間的距離等于或者大于0. 1 μ m以確保充分 的間隔。在此解釋中，假定布線之間的距離等于或者大于是絕緣膜的厚度的0. 2μπι，以確保 預定的間隔。然而，布線之間的距離d不限于此，并且能夠根據(jù)絕緣膜3的厚度將其設計為 任何距離。絕緣膜3由低介電膜制成。優(yōu)選的是，絕緣膜3的相對介電常數(shù)ε r等于或者小 于3. 5以減少由第一布線1、保護膜8、以及第二布線2組成的寄生電容器的電容值。優(yōu)選 的是，絕緣膜3的厚度被形成為比保護膜8的厚度厚。優(yōu)選的是，絕緣膜3的厚度等于或者 大于0. 5μπι以充分地確保布線之間的距離并且減少布線之間的電容。例如，將絕緣膜3的 厚度設計為少于0.2 μ m。絕緣膜3覆蓋第一布線1并且從交叉部分的邊緣向外延伸大約數(shù)個μ m,并且不應 用于晶體管部分15。采用此構造以防止由第一布線1、絕緣膜3、以及第二布線2組成的寄 生電容等等引起的晶體管的錯誤操作。優(yōu)選的是，絕緣膜3由通過旋涂工藝形成的旋涂材 料或者通過印制工藝形成的印制材料形成。例如，絕緣膜3可以由具有相對介電常數(shù)εΓ =2. 7的苯并環(huán)丁烯(BCB)制成。注意，絕緣膜3沒有必要具有感光性。接下來，將會描述如上所述構造的半導體器件的制造方法。圖3Α、圖3Β、圖4Α、以 及圖4Β是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的半導體器件的制造工 藝的圖。如圖3Α中 所示，在被形成在半導體基板11上的晶體管(未示出)的第一布線1、柵電極5、漏電極4、 以及源電極6形成之后，完全地施加晶體管部分15的保護膜8。如圖3Β中所示，在施加具有感光性的BCB作為低介電膜之后，通過曝光工藝、顯 影工藝、以及固化工藝在交叉部分中第一布線1的上方形成絕緣膜3從而絕緣膜3具有 2. Oym的厚度。這時，執(zhí)行圖案化工藝從而絕緣膜3完全地覆蓋交叉部分中的第一布線1 并且從第一布線1向外延伸大約數(shù)個μ m。換言之，通過圖案化工藝在交叉部分中的保護膜 8中以島狀形成絕緣膜3從而絕緣膜3位于絕緣膜8的邊緣的內(nèi)部并且覆蓋交叉部分中的 第一布線1。如圖4A中所示，具有2. 5 μ m厚度的抗蝕劑12被施加以保護絕緣膜3。通過曝光 工藝和顯影工藝將抗蝕劑12圖案化為所想要的輪廓。接下來，執(zhí)行包括電壓提供層的形成 工藝、電鍍工藝、銑削工藝、以及抗蝕劑的移除工藝的空氣橋結構的通常的制造工藝，從而 形成包括第二布線2的交叉部分(參見圖4B)。接下來，將會描述根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的半導體器件的優(yōu)點。在第一 示例性實施例中，在制造工藝中即使在形成第二布線2的情況下第二布線2接收機械外力， 通過正好位于第二布線2的下方的絕緣膜3來支撐第二布線2。因此，確保第一布線1和第 二布線2之間的距離不等于或者小于是絕緣膜3的厚度的最小距離。換言之，確保由第一 布線1、保護膜3、以及第二布線2組成的寄生電容器的電容值不等于或者大于預定的電容 值。因為絕緣膜3以均勻的厚度形成在第一布線1的上表面和側表面上，所以不僅能夠在 第一布線1的上表面上而且能夠在第一布線1的側表面上確保布線之間的預定距離。在這里，布線之間的電容值取決于電極之間的距離d。即，當?shù)诙季€2接收外力 時，布線之間的電容值取決于絕緣膜3的厚度。然而，當絕緣膜3的厚度被設計為等于或者大于0. 5 μ m時，電容值能夠被充分地減少。更加優(yōu)選的是，絕緣膜3的厚度等于或者大于 2. Ομπι以將電容值減少到等于或者小于10fF。在相關技術中，引起上層布線的變形的因素之一是在晶圓表面接觸支撐組件等等 的條件下在制造工藝期間施加機械外力。因此，在相關技術中，第二布線2的變形量取決于 在制造工藝期間施加的外力的值會變化到很大程度。因為布線之間的電容值與布線之間的 距離d成反比例，因此第二布線的變形量中的變化引起布線之間的電容的變化。結果，當如第一示例性實施例中所示柵電極和源電極相互交叉時，在柵電極和源 電極之間的電容Cgs中出現(xiàn)變化，從而引起晶體管的相位Sll中的變化。另一方面，當漏電 極和源電極相互交叉時，在漏電極和源電極之間的電容Cds中出現(xiàn)變化，從而引起晶體管 的相位S22中的變化。圖5示出布線之間的電容對布線之間的距離的依賴特性。布線之間的距離d通 常被設計為大約2 μ m。然而，由于制造工藝中的變化使得布線之間的距離d可以是大約 O-Ium0結果，布線之間的電容值增加了大約100fF。這等于是在f = 30GHz處晶體管的相 位Sll中的變化量的30角度的增加。這是晶體管的相位Sll中的變化的主要因素。另一方面，在本示例性實施例中，因為絕緣膜3被形成在布線之間，所以布線之間 的電容變得較大。然而，因為如圖6中所示絕緣膜3的相對介電常數(shù)ε r被設計為小于3. 0 并且絕緣膜3的厚度被設計為等于或者大于1 μ m，所以電容值的增加能夠被減少到等于或 者小于20fF。此外，如果絕緣膜3的厚度被設置為等于或者大于2.0 μ m，那么電容值的增 加能夠被減少到等于或者小于10fF。此外，絕緣膜3的相對介電常數(shù)被設置為等于或者小 于3. 5，電容值能夠被充分地減少。在第一示例性實施例中，因為通過絕緣膜3支撐第二布線2，所以第一布線和第二 布線之間的距離和布線之間的電容值是恒定的。即，由于此，晶體管的相位Sll和S22也是 恒定的。因此，在根據(jù)第一示例性實施例的半導體器件中，因為確保了布線之間的距離，所 以能夠消除變化的因素并且能夠基本上減少相位Sll和S12中的變化。圖7A示出第一示例性實施例中的在f = 30GHz處晶體管的相位Sll的分布并且 圖7B示出相關技術中的晶體管的相位Sll的分布。布線部分的電容值的增加沒有表現(xiàn)為 晶體管部分15的電容中的增加而是表現(xiàn)為晶體管部分15的外部區(qū)域中的電容中的增加。 即，電容值的增加僅引起阻抗匹配所必需的匹配電路的參數(shù)的變化而沒有引起放大器的特 性中的任何退化。此外，在根據(jù)示例性實施例的半導體器件中，因為絕緣膜3被形成在交叉部分中 第二布線2的下方絕緣膜8的內(nèi)部，所以當沿著第一布線1的外形圖案化絕緣膜3時通過 保護膜3能夠保護第一布線1。這防止第一布線被損壞并且改進了產(chǎn)品的產(chǎn)出比。此外，在日本未經(jīng)審查的專利申請公開No. 10-12722中公布的半導體器件中，絕 緣膜由SiQ2或者Si3N4形成。在這里，通常通過CVD在晶圓上以預定的厚度沉淀Si3N4和 SiQ2并且具有相同厚度的絕緣膜被形成在晶體管部分15上。因此，當晶體管部分15上的 絕緣膜被移除從而絕緣膜僅被遺留在下層布線的第一布線上時，干法蝕刻等等被用于移除 絕緣膜，從而損壞晶體管部分15。另一方面，在根據(jù)本第一示例性實施例的半導體器件中，因為絕緣膜3由具有感 光性的絕緣材料形成并且通過旋涂工藝形成，所以在絕緣膜3的圖案化工藝時不要求進行蝕刻工藝，從而防止晶體管部分15被損壞。因此，能夠提高產(chǎn)品的產(chǎn)出比。在第一示例性實施例中，交叉部分中的源電極和柵電極之間的位置關系能夠被顛 倒。即，可以應用下述構造，其中源電極被設計為下層布線并且柵電極被設計為上層布線。[第二示例性實施例]接下來參考圖8，將會描述根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的半導體器件。圖8 是示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的半導體器件的晶體管部分15周圍的構造的平面 圖。在第二示例性實施例中，漏電極被形成為下層布線的第一布線21并且源電極被形成為 上層布線的第二布線22。在其中第一布線21和第二布線22相互交叉的交叉部分的內(nèi)部，通過晶體管部分 15的保護膜8 (例如，由SiN制成)來覆蓋第一布線21。還通過絕緣膜3來覆蓋第一布線 21。例如，絕緣膜3可以由用作具有大約2. 7的相對介電常數(shù)er的低介電膜的BCB膜形 成。例如，絕緣膜3的厚度被設計為2. 0 μ m。絕緣膜3覆蓋第一布線21并且從交叉部 分向外大約延伸數(shù)個μ m，并且沒有被施加于晶體管部分15。第二示例性實施例的制造工藝和優(yōu)點與第一示例性實施例的幾乎相同并且省略 了其解釋。此外，下述構造可以被應用于第二示例性實施例，其中源電極由是下層布線的第 一布線形成并且漏電極由是上層布線的第二布線形成。本領域的技術人員能夠根據(jù)需要組合第一和第二示例性實施例。雖然已經(jīng)按照若干示例性實施例描述了本發(fā)明，但是本領域的技術人員將理解本 發(fā)明可以在權利要求的精神和范圍內(nèi)進行各種修改的實踐，并且本發(fā)明并不限于上述的示 例。此外，權利要求的范圍不受到上述的示例性實施例的限制。此外，應當注意的是，申請人意在涵蓋所有權利要求要素的等同形式，即使在后期 的審查過程中對權利要求進行過修改亦是如此。
權利要求
一種半導體器件，包括半導體基板；第一布線，所述第一布線被形成在所述半導體基板上；第二布線，所述第二布線被形成為與所述第一布線交叉并且在所述第一布線和所述第二布線相互交叉的交叉部分處在其間插有間隔；保護膜，所述保護膜被形成在所述半導體基板上以覆蓋所述第一布線的至少一部分，所述部分位于所述交叉部分中的所述第二布線的下方；以及絕緣膜，所述絕緣膜以島狀被形成在所述交叉部分中的第二布線的下方的保護膜上，以位于所述保護膜的邊緣之間并且覆蓋所述交叉部分中的第一布線。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜由通過旋涂工藝或者印制工藝 形成的材料形成。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜以均勻的厚度形成在所述第一 布線的上表面和側表面上。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜的邊緣位于所述第一布線的邊 緣的外部。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜比所述保護膜厚。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜具有等于或者大于0.5 μ m的厚度。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述保護膜具有等于或者小于0.2 μ m的厚度。
8.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述交叉部分中所述第一布線和所述第二 布線之間的距離等于或者大于1. O μ m。
9.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一布線和所述第二布線中的一個是 柵電極并且另一個是源電極。
10.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一布線和所述第二布線中的一個 是漏電極并且另一個是源電極。
11.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜具有3.5或者更小的相對介電 常數(shù)。
12.—種半導體器件的制造方法，包括 在半導體基板上形成第一布線；形成第二布線以與所述第一布線交叉并且在所述第一布線和所述第二布線相互交叉 的交叉部分處在其間插有間隔；在所述半導體基板上形成保護膜以覆蓋所述第一布線的至少一部分，所述部分位于所 述交叉部分中的第二布線的下方；以及在所述交叉部分中的第二布線的下方的保護膜上以島狀形成絕緣膜以位于所述保護 膜的邊緣之間并且覆蓋所述交叉部分中的第一布線。
13.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中通過旋涂工藝或者印制工藝 來執(zhí)行形成所述絕緣膜。
14.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中通過曝光和顯影具有感光性的絕緣材料來執(zhí)行所述形成所述絕緣膜。
15.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述絕緣膜的邊緣位于所述 第一布線的邊緣的外部。
16.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述絕緣膜比所述保護膜厚。
17.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述絕緣膜具有等于或者大 于0. 5μπι的厚度。
18.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述保護膜具有等于或者小 于0. 2μπι的厚度。
19.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述交叉部分中所述第一布 線和所述第二布線之間的距離等于或者大于Ι.Ομπι。
20.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述第一布線和所述第二布 線中的一個是柵電極并且另一個是源電極。
21.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述第一布線和所述第二布 線中的一個是漏電極并且另一個是源電極。
22.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述絕緣膜具有3.5或者更 小的相對介電常數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導體器件和半導體器件的制造方法。本發(fā)明的一個方面是半導體器件，其包括半導體基板；第一布線，該第一布線被形成在半導體基板上；第二布線，該第二布線被形成為在第一布線的上方交叉并且在其中第一布線和第二布線相互交叉的交叉部分處在其間插入間隔；保護膜，該保護膜被形成在半導體基板上以覆蓋第一布線的至少一部分，該部分位于交叉部分中第二布線的下方；以及絕緣膜，該絕緣膜以島狀被形成在交叉部分中第二布線的下方的保護膜上以位于保護膜的邊緣之間并且覆蓋交叉部分中的第一布線。
文檔編號H01L21/768GK101901798SQ20101016612
公開日2010年12月1日 申請日期2010年4月23日 優(yōu)先權日2009年4月24日
發(fā)明者富士原明 申請人:瑞薩電子株式會社