技術(shù)編號(hào):6944367
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體功率器件的單元結(jié)構(gòu)、器件構(gòu)造及工藝制造。特別涉及一種新穎的溝槽MOSFET (溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)的單元結(jié)構(gòu)和工藝方法,采用該結(jié)構(gòu)的溝槽MOSFET有效提高了器件的雪崩擊穿特性。背景技術(shù)美國(guó)專(zhuān)利號(hào)No. 6,888,196揭示了一種采用傳統(tǒng)的源體接觸溝槽結(jié)構(gòu)的溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),如圖1所示。該溝槽MOSFET包括形成于N+襯底900 上方的N型摻雜的外延層902 ;位于所述外延層902內(nèi)部的多個(gè)溝槽9...
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