技術(shù)編號：6944225
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明半導(dǎo)體器件，具體涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，特別涉及一種包含采用垂直溝道雙柵結(jié)構(gòu)的N型隧穿晶體管和采用凹陷溝道的P型MOS晶體管的倒 相器集成電路及其制造方法，屬于30納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下制造技術(shù)。背景技術(shù)近年來，以硅集成電路為核心的微電子技術(shù)得到了迅速的發(fā)展，集成電路芯片的 發(fā)展基本上遵循摩爾定律，即半導(dǎo)體芯片的集成度以每18個(gè)月翻一番的速度增長。如今的 集成電路器件技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)處于45納米左右，金屬-氧化物-硅場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的尺寸...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。