技術(shù)編號(hào):6943223
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電容元件及其制造方法、固態(tài)成像器件以及成像裝置。 背景技術(shù)M0S電容器在平帶(flat band)附近具有電容值的轉(zhuǎn)折點(diǎn)(在n型和p型的情況 下分別為反轉(zhuǎn)和累積),且其電容值隨柵極電壓而改變。作為具有在平帶附近的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的電容器,或者具體地不具有電壓跟隨特性的電容 器,已知包括柵極電極、硅氧化物(Si02)膜和具有高濃度雜質(zhì)的硅層的結(jié)構(gòu)的電容元件。在 這樣的電容元件中,硅基板經(jīng)歷高濃度離子注入以簡(jiǎn)并硅的費(fèi)米能級(jí),且所得到的類金屬 部分用作溝道層...
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