技術(shù)編號(hào)：6940093
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的示例性實(shí)施方案涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，并且更具體涉及制造采用 掩埋柵極(BG)的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件變得小型化，實(shí)現(xiàn)各種器件特性和實(shí)施適當(dāng)?shù)墓に囈呀?jīng)變得越來 越困難。尤其是，在實(shí)現(xiàn)40nm以下工藝的技術(shù)中，在柵極結(jié)構(gòu)、位線結(jié)構(gòu)和接觸結(jié)構(gòu)方面正 在遇到物理限制。雖然可以形成具有這種物理尺寸的結(jié)構(gòu)，但是難以獲得滿意的器件特性， 例如電阻特性、刷新特性、低失效性和擊穿電壓特性。鑒于這種情況，已經(jīng)開發(fā)了在有源區(qū) 中埋入柵極的掩埋柵極(...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。