技術編號：6939779
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種集成電路制作方法，具體涉及一種應用于硅鍺異質結雙極性晶體 管的改善側墻隔離的方法。背景技術硅鍺異質結雙極性晶體管由于其異質發(fā)射結和基區(qū)中的漂移電場，容許基區(qū)高摻 雜，可以大大減短基區(qū)渡越時間，所以使得器件的截止頻率和最高振蕩頻率都能夠達到很 高的水平，適合于射頻應用。同時由于基區(qū)高摻雜，使得器件的基區(qū)寬度調變效應減弱和基 極電阻減小，從而其在射頻應用方面具有優(yōu)良的性能，是超高頻器件的良好選擇，因此硅鍺 HBT已經成為超高頻器件的主力軍。硅鍺異...
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