技術(shù)編號：6939444
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有存儲電路部分和非存儲電路部分的集成電路。背景技術(shù)伴隨著LSI(大規(guī)模集成電路)的小型化，LSI的功能已經(jīng)更加先進(jìn)了，LSI的集成 規(guī)模增加了，且LSI的功率消耗減少了。但是，尤其是由于較低的電源電壓引起的較小量的 信號電荷，LSI所展現(xiàn)的靈敏度(作為對輻射光的靈敏度)提高了。然而，令人擔(dān)心的是， 由輻射光引起的軟差錯(cuò)(soft-error)產(chǎn)生的概率也急劇增加。 通常，由輻射光引起的軟差錯(cuò)的產(chǎn)生會導(dǎo)致這樣一個(gè)問題，這就是在輻射光照射 到存儲器...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。