技術(shù)編號：6938468
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬微電子領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體器件，更具體的說，涉及一種混合源漏場效應(yīng)晶 體管及其制備方法。該晶體管可以用來作為集成電路的基本單元。背景技術(shù)半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展要求器件尺寸越來越小。CMOS器件的微縮化推動每一個技術(shù)代 器件性能得以提高。然而，隨著按比例逐步縮小，使得器件尺寸逐漸逼近其物理極限。為了 能夠繼續(xù)延續(xù)過去若干年的發(fā)展趨勢，必須克服由此帶來的材料和工藝方面的諸多障礙。 但是，器件能夠按比例縮小的前提條件是控制短溝道效應(yīng)，從而器件才能夠維持長溝道器 件...
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