技術編號：6938386
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造技術，尤其涉及一種。 背景技術淺槽P禺離(shallow trench isolation, STI)是在襯底(substrate)上 制作晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種工藝?，F(xiàn)有技術中是參見圖1A,在襯底ll上生長一層 襯墊氧化層12 (pad oxide),在村墊氧化層12上淀積硬掩膜層(hard mask) 13,通過光刻制作出圖形，然后通過干刻蝕(dry etch)依次對硬掩膜層13、 襯墊氧化層12和襯底11進行刻蝕，直至在襯底...
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