技術(shù)編號：6938282
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種保護(hù)半導(dǎo)體器件防止受到等離子體損傷 (PID)的電路保護(hù)裝置。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造工藝進(jìn)入深亞微米階段，等離子體工藝已成為越來越廣泛使用 的工藝技術(shù)。等離子體工藝主要應(yīng)用在紫外光刻領(lǐng)域、等離子體刻蝕領(lǐng)域和離子注入領(lǐng) 域等。然而，由于在半導(dǎo)體器件的制造過程存在等離子體的操作，因而不可避免的出現(xiàn) 等離子體損傷現(xiàn)象。等離子體損傷會損壞半導(dǎo)體器件，特別是MOS器件的柵氧化層和器 件特性，致使器件的性能降低。例如，致使MOS器件的...
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