技術(shù)編號(hào)：6938256
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種處理溝槽及形成UMOS晶體管的方 法背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，集成電路制造工藝變得越來(lái)越復(fù)雜和精細(xì)。為了 提高集成度，降低制造成本，加快半導(dǎo)體器件的運(yùn)算速度，半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸不斷 變小。在各種基本的半導(dǎo)體器件中，金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET，簡(jiǎn)稱MOS 晶體管)是集成電路的基本單元之一，在各種超大規(guī)模存儲(chǔ)和邏輯電路中得到廣泛的應(yīng)用。通常的MOS晶體管結(jié)構(gòu)包括源極、漏極、柵介質(zhì)層以及位于柵介質(zhì)層之上的...
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