技術(shù)編號(hào):6936426
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制作,且特別是涉及一種,以改善于制造半導(dǎo)體裝置時(shí)對(duì)于阻劑殘留(resist residue)以及高介電常數(shù)柵極輪廓(high_k gate profile)的控制能力。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路工業(yè)已經(jīng)歷了快速的成長(zhǎng)。隨著集成電路材料與設(shè)計(jì)方面的演進(jìn) 則已制作出了數(shù)個(gè)世代的集成電路,其中每一世代的集成電路較前一世代的集成電路具有 更小且更為復(fù)雜的電路。然而,這些演進(jìn)亦增加了集成電路的程序與制造的困難度,因此 隨著這些演進(jìn)的產(chǎn)生,便需要進(jìn)一步針...
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