技術(shù)編號：6935489
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種晶體管及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種金屬氧化半導(dǎo)體 晶體管及其制造方法。背景技術(shù)橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor，以 下簡稱LDMOS)晶體管在操作時(shí)具有高崩潰電壓(Breakdown voltage)以及低的開啟電阻 (On-state resistance，Ron)。因此，不論是在典型的電源集成電路上，或是在智能型電源 集成電路上，LDMOS晶體管都扮演著極...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。