技術(shù)編號：6934275
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)器件及其制 造方法。背景技術(shù)橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)是一種多數(shù)載流子器件 (majority carrier device)，也是具有快速切換響應(yīng)和高輸入阻抗的橫向型電 源器件的代表。圖1是顯示傳統(tǒng)LDMOS器件結(jié)構(gòu)的橫截面圖。參見該圖，半導(dǎo)體襯底 100被器件隔離層(device isolation layer) 105劃分成設(shè)置在左邊的低壓MOS (LVMOS)區(qū)A和設(shè)置在右邊的高壓...
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